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FinFET制造工艺分析报告-芯愿景
芯愿景软件 FinFET 制造工艺分析报告
FinFET 制造工艺分析报告
撰稿人：北京芯愿景 徐惠芬、张军
目前英特尔 （Intel）、台积电 （TSMC 已经分别在22nm 和16nm 工艺制程上使用
了FinFET 技术，而三星 （Samsung 和格罗方德 （GlobalFoundries 则将这一技术使用
在14 nm 工艺制程中。北京芯愿景公司对这几家国际知名Foundry 的FinFET 制造工艺芯
片进行了深入的反向分析研究，现分享部分信息如下。
(一) FinFET 技术简介
随着特征尺寸的不断缩小，漏电流和短沟道效应对性能的严重影响使得平面晶体管技
术达到了瓶颈阶段。FinFET技术因其延续了传统平面晶体管技术的寿命，同时克服了特征
尺寸缩小带来的负面效应，已成为所有大型Foundry采用的主流先进工艺。
FinFET称为鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor)，是一种新的互补式金氧半
导体(CMOS)晶体管。与传统平面晶体管相比，FinFET晶体管栅极成类似鱼鳍的叉状3D结
构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开，增强了对电路的控制并减少了漏电流，同时
栅极与沟道之间的接触面积变大，也可以大幅度缩短晶体管的栅长。
图 1 平面晶体管结构图 图2 FinFET 晶体管结构图
图3 FinFET 工作示意图
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芯愿景软件 FinFETFinFET 制造工艺分析报告
北京芯愿景公司利用SEMSEM 和TEM 获取FinFET 的结构如下所示：
Cellixsoft CorporationCellixsoft Corporation
图4 体硅FinFETFinFET 图5 SOI-FinFET
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