GaN基LED微显示器的制备与应用技术研究-中国国际光电博览会.PDF

GaN基LED微显示器的制备与应用技 术研究 刘立林（博士，副教授） 中山大学 物理科学与工程技术学院 光电材料与技术国家重点实验室 半导体照明系统研究中心 2 1500m clean room 外延 器件工艺 表征与测试 封装与应用 2 III-nitride Epitaxy Including 3 MOCVD and 1 MBE Available material systems: Characterization systems: GaN, AlN; HRXRD AlGaN, InGaN, AlInN Hall AlInGaN; PL, AFM ZnO, Ga2O3 I-V, I-L Substrate: Sapphire, Si, SiC EL, Stress Tomas Swan 3*2 MOCVD Aixtron 11*2 MOCVD Veeco MOCVD Device Fabrication Device Equipment includes: GaN LED LD Inductively coupled plasma etching GaN LED LD grown on Si Plasma enhanced CVD Nitride Electronic Devices Rapid thermal annealer APDs E-gun Detector Scribe and break Packaging and Application Packaging: Application: Die bonding, LED lighting, Flip-chip bonding, Street lighting, Phosphor, LED backlighting Encapsulation 报告提纲 一．研究背景 二．微型LED阵列器件的制备工艺 三．微型LED阵列器件的特性研究 四．被动寻址的微型LED阵列显示器件设计与制备 五．主动寻址的微型LED阵列显示器件设计与制备 六．LED/OLED微显示器件在3D显示中的应用 1、研究背景 微型LED阵列器件－－Micro-LED devices 通过MEMS技术制作出微米尺寸的发光单 元，通过互连电极设计，既可以做成全像 素集体发光的器件，也能做成单个像素独 立控制发光的器件。因此启发了微型LED 阵列器件在多方面的应用前景。 7 高压LED器件、交流LED器件 微LED单点发光可控的新型器件 高的连续发光强度、纳秒级的短脉冲