太阳能电池原理及工艺流程太阳能电池原理及工艺流程.PDF

OFweek 太阳能光伏网提供 太阳能电池原理及工艺流程太阳能电池原理及工艺流程 太阳能电池原理及工艺流程太阳能电池原理及工艺流程 太阳能是人类取之不尽用之不竭的能源，同时也是清洁能源，其本身不会产 生任何环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电转换利用是近些年来发 展最快、最具活力的研究领域，是太阳能技术应用领域中最受瞩目的项目之一。 制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料受 光能照射后发生光电反应而实现能量转换。根据所用材料的不同，太阳能电池可 分为：硅基太阳能电池、薄膜太阳能电池、生物太阳能电池等等，这里主要讲的 硅基太阳能电池。 硅太阳能电池硅太阳能电池 硅太阳能电池硅太阳能电池 1．硅太阳能电池工作原理与结构 太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应，一般的半导体主要结构如 下： 图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。 当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼、磷等，当掺入硼时，硅晶体中就会存在 着一个空穴，它的形成可以参照下图： 图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄 色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有 3 个电子，所以就会产生入图所示 OFweek 太阳能光伏网提供 的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和， 形成 P（positive）型半导体。 同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得 非常活跃，形成N（negative）型半导体。黄色的为磷原子核，红色的为多余的 电子。如下图。 P 型半导体中含有较多的空穴，而 N 型半导体中含有较多的电子，这样，当 P 型和 N 型半导体结合在一起时，就会在接触面形成电势差，这就是PN 结。 当 P 型和 N 型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一 个特殊的薄层)，界面的 P 型一侧带负电，N 型一侧带正电。这是由于P 型半导 体多空穴，N 型半导体多自由电子，出现了浓度差。N 区的电子会扩散到 P 区，P 区的空穴会扩散到N 区，一旦扩散就形成了一个由 N 指向 P 的“内电场”，从而 阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是 PN 结。 当晶片受光后，PN 结中，N 型半导体的空穴往P 型区移动，而 P 型区中的电 子往 N 型区移动，从而形成从N 型区到 P 型区的电流。然后在PN 结中形成电势 差，这就形成了电源。(如下图所示） OFweek 太阳能光伏网提供 由于半导体不是电的良导体，电子在通过 p－n 结后如果在半导体中流动， 电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过， 电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖 p－n 结（如图 梳状电极），以增加 入射光的面积。 另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科 学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜 （如图），实际工业生产基本都 是用化学气相沉积沉积一层氮化硅膜，厚度在 1000 埃左右。将反射损失减小到 5％甚至更小。一个电池所