干法栅挖槽GaAsHFET功率管.PDF

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１００８ 干法栅挖槽 功率管 ＧａＡｓ ＨＦＥＴ 栗锐，王义，林罡，陈堂胜 （南京电子器件研究所南京， ） ２１００１６ 摘要：介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时 表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷，采 ＧａＡｓ 用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制消除了， ， 两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用 刻蚀挖槽，确定了低损伤与各向异性 ＩＣＰ 刻蚀的最佳条件采用该工艺制作的 功率管 个 管芯合成的内匹配功率管在 。 ＧａＡｓ ＨＦＥＴ ，４ ２７ ｍｍ 条件下输出功率为 、功率增益 、功率附加效率大于 。 ５６ ＧＨｚ ５３ Ｗ １１ｄＢ ４７％ 关键词：干法刻蚀；自停止；表面缺陷；侧蚀 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）增刊 ＴＮ３０３２３ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ００２４０３ Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｇａｔｅ Ｒｅｃｅｓｓ ｆｏｒ ＧａＡｓ ＨＦＥＴ Ｐｏｗｅｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ， ， ， Ｌｉ Ｒｕｉ Ｗａｎｇ Ｙｉ Ｌｉｎ Ｇａｎｇ Ｃｈｅｎ Ｔａｎｇｓｈｅｎｇ （ ， ， ） Ｎａｎｊｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｎａｎｊｉｎｇ ２１００１６ Ｃｈｉｎａ ： ， Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ａｖｏｉｄ ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｄｅｆｅｃｔ ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｃａｕｓｅｄ ｂｙ ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ａｎｄ ｄａｍａｇｅ ， ｏｆ ｔｈｅ ｕｎｄｅｒｃｕｔ ＧａＡｓ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｓｕｌｔｉｎｇ ｆｒｏｍ ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ ｇａｔｅ ｒｅｃｅｓｓ ｐｒｏｃｅｓｓ ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ ｇａｔｅ ｒｅｃｅｓｓ ｐｒｏｃｅｓｓ ， ｗａｓ ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ． Ｎｏ ｕｎｄｅｒｃｕｔ ａｎｄ ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｔｏｐ ｗｅｒｅ ｇｏｔ ｗｉｔｈ ｔｈｉｓ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｈｕｓ ｔｈｅ ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｃｏｎｔａｃｔ ｗａｓ ， ａｃｈｉｅｖｅｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｈａｎｎｅｌ ｗａｓ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｓｔａｂｌｙ ａｎｄ ｒｅｌｉａｂｌｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｓｕｒｆａｃｅ ｄｅｆｅｃｔｓ ｂｅｓｉｄｅ ｇａｔｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｃｈａｎｎｅｌ ｃａ