硅基薄膜太阳电池基础知识介绍.pptVIP

缺点 前期资金投资大 光致衰退(S-w效应) 效率偏低 四 、非晶硅的光照衰退(Staebler-Wronski效应) 光致衰退现象：非晶硅电池在强光下照射数小时，电性能下降并逐渐趋于稳定；若样品在160℃下退火，电学性能可恢复原值(S-W效应) 非晶硅制造过程中Si-Si弱键的作用 测试环境 标准条件（STC） 光强：光功率密度为1000W/m2 光谱特征：AM1.5 环境温度：25℃ 光谱特征：AM1.5 组件效率Eff计算 Eff =Pm/（1000W/m2×组件面积) 例如公司电池片输出功率为480W，面积为5.7m2 ， 则效率η=480/(1000*5.7)=8.42% Stable Eff Initial Eff 初始最大输出功率 稳定最大输出功率 (初始功率-稳定功率)/初始功率 SOL: I-V曲线指标介绍(Q-size) 参数解释 Pm：在标准环境下的输出功率，等于Vm*Im Voc：为电池片在不带任何负载下的电压 Isc：为电池片正负极短路条件的电流 Vm：为最大输出功率时对应的电压 Im：为最大输出功率时对应的电流 FF：为Pm/(Voc*Isc) Rs：表征电池内部的串联电阻 Rsh：表征电池元之间的并联电阻 非晶硅/微晶硅电池的未来结构 单位基础常识 微米 1um＝10-6 m（米） 纳米 1nm＝10-9 m（米） 埃米 1? ＝10-10 m（米） 赫兹1Hz＝1/T （T为周期，T的单位为秒） 兆瓦 1MW=1000KW=106W 真空单位 1Torr=1000mtorr=133Pa 1bar≈1000mbar=1atm=1.03*105 Pa 1mtorr=0.133Pa 1hpa=100Pa=1mbar 12、磨边-Seam B 目的：磨去切割造成的锋利边缘，提高安全性 BestSOLAR 13、清洗3（washer3） 目的：清洗表面残留的灰尘 14、 引线 (Buss) Cross buss 15、层压（Lamination） 目的：膜层与外界隔绝，保证能够在室外正常运行25年 16、高压釜（ACL) -高压系统以3小时11分为一个周期,每批可提供324片 Q-size 1100mm×1300mm×10mm),或者166片H-size 1100mm×2600mm ×10mm or 2200mm×1300mm×10mm), 或者96片F-size (2200mm×2600×10mm)。不同类型Module 不能混合或搭配 17、接线盒安装 接线盒 目的：组件性能测试 18、太阳模拟器（SOL) 叠层电池结构 SiO2(20~40nm) 更低的成本 薄膜太阳能电池的未来 TJ Cost: - 40% * ZnO:Ag + TCO Q4 Q1 Q4 Q3 Q2 Q2 Q4 Q3 Q1 Q3 CY2010 CY2011 CY2009 8.5% 9.0% 10.0% 12.0% Intermediate Layer (SOIR) Q2 9.5% 10.5% Q1 Q2 Q3 Q4 CY2012 11.0% Project - X Enhanced Light Trapping Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 CY2013 $ Production/watt = Watt/m2 Cost/m2 Driving Cost Down Driving Watts Up 更高的效率 氧化硅(掺磷)夹层 非晶硅 微晶硅 氧化锌(ZnO)/银 氧化锌(ZnO)玻璃 光捕获(Light Trapping)示意图 Best Solar Confidential * 硅基薄膜太阳电池基础知识介绍 部门: 技术部 2010年5月31日 * 太阳电池分类 硅基薄膜太阳电池的发展 硅基薄膜太阳电池的优缺点 薄膜电池的光照性能衰退现象 电池光电转换效率的计算 薄膜电池工艺基础简介 提 纲 * 薄膜太阳电池分类 硅基薄膜太阳电池的发展 薄膜电池的光照性能衰退现象 电池光电转换效率的计算 电池片的应用 一、太阳能电池分类汇总 薄膜太阳电池简介 硅薄膜 碲镉系(CdTe) 染料薄膜和有机薄膜(TiO2) 非晶,非晶/微晶(a-Si,a-Si/?c-Si) First Solar， US United Solar(~8%) ,EPV(5~6%) US Kaneka, Sharp ( 8~10%) Japan LG, 周星(~9.6%) 韩国 铜铟系(CIS,CIGS) 金属薄膜 正泰(~9.0%),天威(6`7%),新奥(8~8.5%