[信息与通信]第六章 半导体中的非平衡过剩载流子.pdf

半导体 物 理 SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写：刘诺 副教授 独立制作：刘诺 副教授 电子科技大学 微电子与固体电子学院 UESTC Nuo Liu 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 Carrier concentrations in unequilibrium KEY： 1、非平衡载流子的产生 2、非平衡载流子的复合 3、非平衡载流子的运动规律 UESTC Nuo Liu OUTLINE  §6.1 载流子的产生与复合  §6.2 过剩载流子的性质  §6.3 双极输运  §6.4 准费米能级 UESTC Nuo Liu §6.1 载流子的产生与复合 KEY * ⊿n和⊿p如何产生、如何复合？； * ⊿n和⊿p对电导率的影响 UESTC Nuo Liu 6.1.1 平衡状态半导体 Ec Generation Recombination Ev 产生率 Gno=Gpo, 复合率 Rno=Rpo 热平衡态下, G =G =R =R UESTC Nuo Liu no po no po UESTC Nuo Liu 6.1.2 过剩载流子的产生与复合 非平衡态：系统对平衡态的偏离。 相应的：n=n + δn 0 p=p + δ p 0 且 ⊿n= ⊿p (非平衡载流子的电中性条件)  非平衡载流子： δ n 和δ p （过剩载流子） 注入：通过外场产生过剩 载流子 npni2 抽取：通过外加电压使得 载流子浓度减小 npni2 UESTC Nuo Liu 当非平 衡载流子的 浓度δ n和δ p 《平衡多子 浓度时，这   p  p n n (n型半导半) 就是小注入 0 0   n0  p n p 0 (p 型半导半) 条件。 UESTC Nuo Liu δ n n 0 Ec