山东电气自动化专升本电子技术复习模拟电路专升本辅导....doc

模拟电子技术辅导材料 《模拟电子技术》课程教学基本要求 ●主要内容和基本要求熟练掌握二极管电路第一讲 半导体二极管半导体二极管基本要求 理解：PN结的形成及单向导电性：普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数熟练掌握：二极管电路半导体本征半导体和杂质半导体 1．本征半导体本征半导体半导体半导体共价键。形成电子空穴对所以本征半导体导电。 ．杂质半导体本征半导体掺入少量的杂质Ｎ型---掺入五价元素Ｐ型---掺入三价元素两种载流子浓度不等多子---由掺杂形成，少子---由热激发产生。Ｎ型半导体自由电子多子空穴少子P型半导体空穴多子自由电子少子多子浓度就会远大于室温条件下本征激发所产生的载流子浓度所以半导体导电。 ．半导体中载流子的运动方式①漂移运动---载流子在外加电场作用下的定向移动。②扩散运动---因浓度梯度引起载流子的定向运动。 结的形成及特性 结的形成　　当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起的时侯，交界面处结由于交界面处存在载流子浓度的差异→载流子扩散→产生空间电荷区和内电场Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的内电场→内电场阻碍多子扩散，有利少子漂移　　当扩散和漂移达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即结。　图（）浓度差使载流子发生扩散运动 图（）内电场形成 结的特性 （）单向导电性　　正偏时→多子向结移动，空间电荷区变窄，内电场减弱→扩散运动大于漂移运动→正向扩散电流。正向电流—导通。　　反偏时→多子背离结移动，空间电荷区变宽，内电场增强→漂移运动大于扩散运动→少反向漂移电流。当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流PN结。 （2）伏安特性　　 它可划分为三个部分：　　①正向特性(外加正向电压)　　当正向电压超过Ｖth后，二极管才有明显的正向电流，Ｖth称为门坎。硅管的Ｖth约为0.5V，锗管的Ｖth约为0.1V。当流过二极管的电流Ｉ较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，称为硅管通常取0.7Ｖ，锗管约为通常取0.2Ｖ。　　②反向特性(外加反向电压)　　反向电压ＶBR，反向电流很小，而且与的大小无关。 由二极管的伏安特性看出：①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。　　③反向击穿特性　　当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。二极管。．主要参数　　（1）正向---最大整流电流ＩF　　（2）反向---ＶRＶBR　　　分析方法?? （1）模型分析法　　①理想二极管模型---正向导通时，0；反向截止时，0。　　②恒压降模型---当二极管工作电流较大时，其两端电压为常数硅管0.7V。 （2）步骤：①联立方程，一个线性非线性；②在同一坐标上画出非线性部分的伏安特性和线性部分的特性曲线；③由两条特性曲线的交点求电路的Ｖ和Ｉ。（）步骤：①静态分析--假定Ui=0,用直流图解分析法，找到Q点（IQ,UQ）， ②动态分析--对电路交流状态进行分析，在Q点二极管伏安特性曲线二极管特殊二极管 1．稳压二极管 　　（1）工作原理 　　稳压管反向击穿在电路中起稳压作用。。 ??? （2）主要参数：稳定电压ＶzＶBR、稳定电流Ｉz电压、最大工作电流ＩzM和最大耗散功率ＰzM最大耗散功率ＰzM2．发光二极管?　 发光二极管将电能转化为光能。简写成了ＬＥＤ，它的特性曲线与普通二极管类似，但正向导通电压一般为1～2Ｖ，正向工作电流一般为几～几十毫安。。二极管二极管稳压管稳压管模型二极管例1．求图所示电路的静态工作点电压和电流。　　　解：（1）图解分析法 　　 Ｖ＝Ｖ1－ＩＲ将相应的负载线画在二极管的伏安特性曲线上，如图所示，其交点便是所求的（ＩQ，ＶQ）。（2）模型分析法 　　①理想二极管模型　　Ｖ＝0，Ｉ＝Ｖ1／Ｒ　　②恒压降模型　　设为硅管，Ｖ＝0.7V，Ｉ＝（Ｖ1－Ｖ）／Ｒ 例2．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压ＶA0。设二极管为理想的。 解： 分析方法 ：（1）将D1、D2从电路中断开，分别出D1、D2两端的电压；（2）根据二极管的单向导电性，二极管承受正向电压则导通，反之则截止。若两管都承受正向电压，则正向电压大的管子优先导通，然后再按以上方法分析其它管子的工作情况。 本题中： D2优先导通，此时， D1管子截止。ＶA0 = -4V。 例．两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下二种接法时，输出电压Ｖo为多少？若电路输入为正弦信号ＶI=20sinωt（V），画出图（a）输出电压的波形。解：图（a）中若输入正弦信号ＶI=20sinωt（V）：　　在输