[小学教育]第7章 可编程器件及其应用.ppt

可编程模拟器件及其应用 2、可编程模拟器件的基本开发流程 可编程逻辑器件PLD及其应用 半导体存储器的分类 一、 随机存取存储器（RAM） 六、现场可编程门阵列FPGA 一、随机读写存储器(RAM) RAM的基本结构 在计算机及数据处理系统中需要存放大量数据、中间结果、表格等设备，可以用随机存取存储器RAM。 RAM可分为单极型和双极型：双极型工作速率高，但是集成度不如单极型的高。目前，由于工艺水平的不断提高，单极型RAM的速率已经可以和双极型RAM相比，而且单极型RAM具有功耗低的优点。这里只以单极型RAM为例进行分析。 单极型RAM又可分为静态RAM与动态RAM：静态RAM是用MOS管触发器来存储代码，所用MOS管较多、集成度低、功耗也较大。动态RAM是用栅极分布电容保存信息，它的存储单元所需要的MOS管较少，因此集成度高、功耗也小。静态RAM使用方便，不需要刷新。 1、RAM的基本结构 存储矩阵、 地址译码器 和读写电路 地址 片选信号 读写控制信号 数据输入 和输出信号 1）存储矩阵 存储矩阵是由许多排列成阵列形式的存储元组成，用来存储要存放的代码。每个存储元能存储一位二进制数据（0或1），存储元的总数决定了存储器的容量。一组有序排列的存储元构成一个存储单元，矩阵中每个存储单元都用一个二进制码给以编号，以便查询此单元。这个二进制码称作地址。 2）地址译码器 地址译码有两种方式，一种是单译码方式，或称为字结构方式，适用于小容量存储器；另一种是双译码方式，或称为X-Y译码结构。 单译码方式 双译码方式 当片选信号CS = 0有效时，读写控制信号WE可以控制信号的流向。若WE = 1时，外电路向存储器读取数据，门G4导通，输出高电平，门G3截止，对应输出给三态门G1的控制信号无效，G1输出高阻状态，G2开启，D上的数据通过G2送到总线I/O上，实现读操作。当WE = 0时，情况刚好和前面相反，这时G1开启，G2输出高阻状态，数据只能由I/O送给D，实现写操作。 3）读写电路 2、 RAM的存储单元 存储单元是存储器的最基本细胞，他可以存放一位二进制数据。 1）RAM静态存储单元 静态RAM靠触发器保存数据，只要不断电，数据就能长久保存。 2）RAM动态存储单元 写操作：当字选择线为高电平，T1管导通，写信号通过数据线存入电容C中 读操作：字选择线仍为高电平，存储在电容C上的电荷，通过T1输出到数据线上，通过读出放大器，即可得到所保存的信息。 刷新：动态RAM存储单元实质上是依靠T1管栅极电容的充放电原理来保存信息的。时间一长，电容上所保存的电荷就会泄漏，造成了信息的丢失。因此，在动态RAM的使用过程中，必须及时地向保存“1”的那些存储单元补充电荷，以维持信息的存在。这一过程，就称为动态存储器的刷新操作。 二、只读存储器（ROM） 1、ROM的结构 它由存储矩阵、地址译码器、读放与选择电路组成。地址译码器可以是单译码，也可以是双译码。 ROM的点阵结构表示图 将存储器字线和位线画成相互垂直的一个阵列，每一个交叉点对应一个存储元，交叉点上有黑点表示该存储元存1，无黑点表示该存储元存0。 2、ROM的分类 ROM的种类较多，按存储内容的写入方式可分为固定ROM、可编程的PROM、可擦可编程的EPROM三类。 1）固定ROM 固定ROM需要存储的信息由ROM制造厂家写入，信息存储可靠性最高，当用量很大时，单片成本很低。 2）可编程只读存储器PROM PROM的结构是与阵列固定、或阵列可编程的PLD器件。对于有大量输入信号的PROM，比较适合作为存储器来存放数据，它在计算机系统和数据自动控制等方面起着重要的作用。 PROM 的类型有多种，我们以二极管破坏型PROM为例来说明其存储原理。 对PROM来讲，这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极管不能再正常工作，所以这种ROM器件只能固化一次程序，数据写入后，就不能再改变了。 3）可擦除可编程的ROM (1)紫外线擦除可编程的ROM 可用紫外线擦除可编程的ROM常常被称为EPROM，该类存储器用户可多次改写内容，改写时需要宽度约为50ms的高电压编程脉冲，EPROM芯片外壳上方有窗口，当用紫外线通过这个窗口照射时，写入的信息被擦除。 为避免EPROM的内容在外来光线照射下慢性自动擦除，通常用一种不透光的标签粘贴在窗口上用于保护所存信息。 SIMOS管的结构和符号 SIMOS管是利用浮栅是否积累负电荷来表示信息的。这种EPROM出厂时为全“1”（即浮栅上无电子积累），用户可根据需要写“0”（即给浮栅注入电子）。 （2）电可擦除可编程序的ROM EEPROM结构 EEPROM的另一个优点是擦除