第二十讲–激光二极管1–概论受激辐射和光增益激光二极管基础知识.PDFVIP

6.772/SMA5111-化合物半导体 第二十讲–激光二极管 1–概论 受激辐射和光增益 吸收，自发辐射，光增益的受激辐射阈值 激光二极管基础知识 激光的产生和阈值电流强度条件 微分量子效应 平面激光腔设计 （目前我们所知的，21章继续） 垂直腔结构： 同质结 双异质结 量子阱，量子线，量子点；量子瀑布 侧面结构： 条形接触 埋入式异质结构 端面反射镜设计： 解理面 刻蚀面 分布反馈，布拉格反射器 C. G. Fonstad, 4/03 Lecture 20-Slide 1 激光二极管:LED和激光二极管的比较 发光二极管和激光二极管 LED基于自发辐射，并且具有： 1.较宽的输出光束，难以捕捉和会聚 2.相对较宽的光谱 3.总效率中到低等 4.速度中等到高速 (≈ 1/min) 激光二极管基于受激辐射，与此相反的特性： 1.光束窄，高准直性输出 2.尖锐、狭窄的发射光谱 3.高微分效率和总效率 4.高到超高的速度。 受激辐射发生在，当经过的光触发了一对电子空穴，重新复合 的时候，会辐射出另一个具有相同频率（能量）、动量和相位 的光子。 C. G. Fonstad, 4/03 Lecture 20-Slide 2 激光二极管： 获得受激增益 我们寻找得到净光增益，而不是净吸收的必要条件。考虑在 固态的两个能级(E1和 E2)之间，受光照而发生跃迁。 我们考虑三种吸收或者发出光子的跃迁： 1.从E到E，吸收光子 1 2 2.从E到E，自发辐射 2 1 3.从E到E，受激辐射 2 1 我们利用爱因斯坦系数A和B来模拟每个过程发生的几率， 来研究什么情况下，光经过该介质时，受激辐射的可能性大于 被吸收。 C. G. Fonstad, 4/03Lecture 20-Slide 3 -激光二极管： 获得受激增益 （续） 在半导体中，我们认为，E1处于价带，E2处于导带： 吸收 自发辐射 受激辐射 这些过程发生的速率依赖于集居数分布： 吸收速率R:光子集居数×E集居数×E空位集居数 ab 1 2 自发辐射速率R：E集居数×E空位集居数 sp 2 2 受激辐射速率R：E集居数×E空位集居数×光子集居数 st 2 2 C. G. Fonstad, 4/03 Lecture 20-Slide 4 激光二极管： 获得受激增益 (续) 吸收速率： 这里： B：吸收跃迁速率 12 N : E的价带密度 1 1