[工学]数字电路 第9章.ppt

第九章 半导体存储器 第九章半导体存储器 半导体存储器概念 半导体存储器是大规模集成电路，用来存放二进制代码表示的各种数字信息。 特点：速度快，体积小，集成度高，可靠性高。 各结构的功能 地址译码器：进行地址的选择。 存储矩阵：存储信息。 存储容量： 字数M×位数N 输出电路：包括缓冲器和驱动器。作用：进行时序配合，增加驱动能力 结论 字线W和位线b间接二极管，存储信息1， 字线W和位线b间不接二极管，存储信息0。 ROM的逻辑函数 地址译码器：完成逻辑“与”功能，例如：W3=A1 A0 存储矩阵：实现逻辑“或”功能。例如： 所以ROM属于组合逻辑，且为最小项表达式或标准与或式，即： D0=W2+W3=A1?A0+A1A0 D1=W0+W1=?A1?A0+?A1A0 D2=W1+W2+W3=?A1A0+A1?A0+A1A0 D3=W0+W1+W3=?A1?A0+?A1A0+A1A0 阵列图表示ROM的结构 阵列图小结 与阵列：固定阵列，对应输入变量的最小项。 或阵列：可编程，实现任意组合逻辑。 “黑点”代表输入、输出间应具有的逻辑关系 （“与”或者“或”），在存储矩阵中，表示交叉处有二极管。 ROM的应用 实现组合逻辑函数 代码转换 生成函数表 字符发生器 波形产生。 例9.1.1：试用ROM实现如下组合逻辑函数： F1=AB+?AC F2=AB+?BC * * 存储器分类 串行存储器(SAM): Sequential Access Memory 只读存储器(ROM): Read Only Memory 随机存储器(RAM): Random Access Memory FIFO型 例：前述的单向移位寄存器 FILO型 例：前述的双向移位寄存器 SAM 第一节 只读存储器(ROM) 一. ROM的分类： 1.按存储内容写入方式来分： 固定ROM(MROM) 可擦可编程ROM(EPROM) 可编程ROM(PROM） UVEPROM E2PROM FLASH MEMORY 2.按使用器件类型来分 二极管ROM MOS型三极管ROM 双极型三极管ROM 存储矩阵M×N 输出电路 b0 b1 … b N-1 D0 D1 … D N-1 地址译码器 W0 … A0 图9.1.1 ROM的结构框图 W1 WM-1 … A1 AK-1 ROM的结构 1 1 D3 D2 D1 1 D0 驱动器 输出电路 存储矩阵 地址译码器 b3 b2 b1 b0 字线 W0 W1 W2 W3 1 1 1 位线 VCC A1 A0 图 9.1.2 4×4 位二极管ROM 表9.1.1 图9.1.2的地址输入与输出状态对应关系 1 0 1 1 W3 1 1 1 0 1 0 W2 0 1 0 1 1 1 W1 1 0 0 1 0 1 W0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 ROM输出 选中字线 地址输入 W0 W1 W2 b3=W0+W1+W2 D0 D1 A1 A0 A1 A0 W0 W3 W2 W1 D2 D3 与阵列 或阵列 解： 先将上述两个逻辑函数转化成最小项表达式： F1=ABC+AB?C+?A?BC+?ABC=?m(1,3,6,7) F2=ABC+AB?C+A?BC+?A?BC=?m(1,5,6,7) ROM 阵列如图9.1.9所示 1 1 1 (D1) (D0) F2 F1 A B C 图 9.1.9 例9.1.1ROM 阵列 例9.1.2 试用ROM设计一个8421 BCD码7段显示译码器电路，其真值表如表9.1.2所示。 解：由真值表可见，应取用输入地址为4位，输 出数据为7位的16 字节×7位ROM。 可根据真值表直接画出ROM的阵列图，而 不需要列出逻辑式。 9 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 8 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 7 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 6 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 5 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 4 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 3 0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 0 2 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 显示 g f e d c b a Q0 Q1 Q2 Q3