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场效应晶体管 1、概述 1、概述： 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单级型晶体管。场效应管不但具备双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012 ohm，噪音低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省。这些优点从60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。 当UDS0，则有电流ID从D流向S，从而使沟道的中各点到G的电压不 在相等，而是沿沟道从S到D逐渐增大；造成靠近D一边的耗尽层比靠近 S一边的宽（即，靠D一边的导电沟道比靠S一边的导电沟道窄）。 4、场效应管的主要参数 （1） 开启电压VT VT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 二、交流参数 三、极限参数 （1）最大漏极电流IDM：IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。 5、功率MOSFET 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管。不但有自关断能力, 而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易 于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于 DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备 中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。 电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区 别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面， 横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐 电流的能力。按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩 散VDMOSFET。 电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET 组成。主要应用N沟道增强型。 一、结构 二、常用参数及参数测试方法 六.双极型和场效应型三极管的比较 VVMOSFET AND UMOSFET 电场集中，不易提高耐压。 2、结型场效应管 3、绝缘栅型场效应管 4、场效应管的主要参数 5、功率MOSFET 6、应用和使用注意事项 分类： 按结构分为：结型场效应管JEFT 绝缘栅场效应管IGFET 根据所用的绝缘材料的不同,IGFET也分为很多种。如以氮化硅为绝缘层的MNLS管，以氧化铝为绝缘层的MALS管。目前广泛用于分立元件或大规模和超大规模集成电路（LSI和VLSI）中的是以二氧化硅为绝缘层构成的金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。根据导电沟道形成机理的不同，MOSFET有分为增强型和耗尽型 根据各种类型的场效应管导电沟道的导电多数载流子是电子还是空穴，又分为N沟道和P沟道。 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、示意图 2、 结型场效应管: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以n沟道为例） N G S D UDS UGS ID P P PN结反偏，UGS越小越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 N G S D UDS UGS ID P P UGS越小耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 N G S D UDS UGS P P UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 当UGD=UGS(OFF)时会出现预夹断。如过UDS继续增大，则 UGDUGS(OFF)，耗尽层闭和部分将沿沟道方向延伸，即夹断区加长。 在这个时候，当UDS为一常量时，对应于确定的UGS，就有确定的 ID。 也就是可以通过改变UGS来控制ID的大小。 三、特性曲线 ID U DS 0 UGS=0V -1V -3V -4V -5V N沟道结型场效应管的特性曲线 夹断区 可变电阻区 恒流区 1、可变电阻区(非饱和区)：它是各条曲线上使UDS=UGS-UGS（OFF）[即UGD=UGS（OFF）]的点连接而成。当UGS确定时，直线的斜率也唯一的确定，直线斜率的倒数为D-S间等效电阻。可见在次区域中，可以通过改变UGS的大小(即压控的方