[信息与通信]半导体器件物理第六章_93140777.pdf

J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 半导体器件 物理进展 第六章 其它特殊半导体器件简介 Introduction to other Special Semiconductor Devices J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 本章内容提要： LDMOS、VDMOS等高压功率器件 IGBT功率器件简介 SOI器件与集成电路 电荷耦合器件的原理与应用 J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 1. LDMOS、VDMOS功率器件 （1）MOSFET作为功率器件的优势： MOSFET为多子（多数载流子）器件，电流温度系数 为负值（由迁移率随温度的变化引起），不会发生 双极型功率器件的二次击穿现象（由Iceo，β随温 度的升高而引起）； 没有少子（少数载流子）的存贮效应，开关响应速 度较快； 栅极输入阻抗较高，所需的控制功率较小； 具有一定的功率输出能力，可与控制电路集成在一 起，形成Smart Power IC，例如LCD显示器的高压 驱动电路（Driver）。 J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 （2 ）MOSFET的击穿特性： （A ）导通前的击穿： 源漏穿通： 早期的解释：随着源漏电压增大，→ 源漏耗尽区不 断展宽，直至相碰到一起，→ 导致发生源漏穿通效 应（这里仍然采用的是平面PN结耗尽区的概念，尽管 可能不是十分准确）； 目前的理解：由于DIBL效应引起的源漏穿通，与器件 的沟道长度及沟道掺杂分布有关，其特点是（与PN结 的击穿特性相比）击穿特性的发生不是非常急剧，换 句话说，器件的击穿特性不是十分陡直的硬击穿，而 是比较平缓的软击穿特性。 J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 漏端PN结击穿： 比单纯的非MOSFET漏区的PN结击穿电压要低（原因： 受场区离子注入、沟道区调开启离子注入等因素的影 响），由于侧向双极型晶体管的放大作用，使得BVPN 有所下降（类似BVCEO小于BVCBO ），不同点在于MOS器 件的衬底（相当于BJT器件的基区）不是悬空的，而 是接地（只是接地电阻可能偏大），这种击穿特性的 特点是雪崩电流的发生比较急剧，发生雪崩效应之前 的反向电流也很小。 （B ）导通后的击穿：主要是由于侧向双极型晶体管 效应所导致，特别是由于器件衬底电流的影响，将使 源衬PN结出现正偏现象，致使侧向双极型晶体管效 应更为严重。 J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 MOSFET导通后的击穿现象： （C ）提高MOSFET击穿电压的有效方法：在器件 的漏区周围增加低掺杂的过渡区，以减小漏端峰值 电场强度，从而提高器件的击穿电压。 J.Hsu 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 （3）高压MOS器件结构的电场分析： N-区的作用：当高压MOS器件截止时，N-区 为耗尽层的过渡区；当器件导通时