6第五讲其它CVD技术.pptVIP

第五讲 提 要 等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 光CVD过程 离子镀膜法 PECVD 的主要优点 第六讲 小结 薄膜的CVD过程可以由等离子体辅助来实现 PECVD的主要特点是它可以有效降低CVD过程的温度 各种辉光、甚至弧光放电过程都可以被用于PECVD 直流、射频、微波激励手段都可被用于PECVD 思 考 题 查阅文献，找出由SiH4沉积Si的典型的CVD温度和PECVD温度，并对造成两种工艺异同点的原因进行讨论。 讨论热CVD过程和PECVD过程在薄膜沉积均匀性方面可能出现的差异。 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 其它CVD技术 一、等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 为了使化学反应能在 较低的温度下进行，利用 了等离子体的活性来促进 反应，因而这种CVD称为 等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)即： 高频辉光放电形成等离子体 +化学反应 = PECVD 反应气体 接射频电源 样品 抽气 成膜机理： 辉光放电等离子体中： 电子密度高 (109~1012/cm3) 电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍 ∵ 虽环境温度(100-300℃)，但反应气体在辉光放电 等离子体中能受激分解，离解和离化，从而大大 提高了参与反应物的活性。 因此，这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。 在PECVD装置中，气体的压力多处于易于维持大面积等离子体的5?500Pa的范围，放电类型属辉光放电，等离子体密度约109?1012个/cm3，而电子温度约1?10eV PECVD方法区别于普通CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可间接地提供CVD过程所需要的激活能; 电子与气相分子的碰撞可促进气体分子的分解、化合、激发和电离，生成活性很高的各种化学基团，显著降低CVD薄膜沉积的温度;从此意义上讲，一般的CVD技术依赖于相对较高的温度，因而可被称为热CVD技术; 沉积速率快；成膜质量好，针孔少，不易龟裂。 薄膜低温沉积的意义包括： 避免薄膜与衬底间发生不必要的扩散与反应; 避免薄膜或衬底材料的结构变化与性能恶化; 避免薄膜与衬底中出现较大的热应力等. 热CVD和等离子体辅助CVD的 典型沉积温度范围 325～525 1000 WC 500 900～1100 TiN 500 900～1100 TiC 300 800～1100 SiO2 300 900 Si3N4 200～400 650 多晶硅 750 1000～1250 硅外延薄膜 PECVD CVD 沉积温度(?C) 薄膜 在PECVD温度下，若采用热CVD，则也许根本没有任何反应发生 气体分子与电子碰撞，产生出活性基团和离子；活性基团扩散到衬底表面 活性基团也可与其他气体分子或活性基团发生相互作用，进而形成沉积所需的新的化学基团；化学基团扩散到衬底表面 到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反应并释放出反应产物 离子、电子轰