扇形微带偏置的理论和AD的S详细设计过程.pdf

第1 章 微带扇形偏置电路基本理论之一 1 第2 章 扇形微带偏置理论之二 4 第3 章 利用ADS 仿真设计扇形微带偏置的整个过程 6 3.1 计算10GHZ 时四分之一波长高阻线（假设设计阻抗为100 欧）的长度和宽度。7 3.2 将高阻线和扇形微带放入电路中，并仿真和优化（注意优化的变量都有哪些）..7 3.3 仿真结果分析（关键）9 3.4 生成版图 10 3.5 导出到AUTOCAD 中并填充 11 第4 章 有助于加深理解扇形微带偏置原理的ADS 仿真分析 11 4.1 单根四分之一波长微带线的仿真 11 4.2 四分之一波长微带线+扇形微带线的仿真 12 4.3 我的理解 12 第1章 微带扇形偏置电路基本理论之一 第2章 扇形微带偏置理论之二 第3章 利用ADS 仿真设计扇形微带偏置的整个过程 设计目标：主信号线传输的频率为10GHz。 3.1 计算10GHz 时四分之一波长高阻线（假设设计阻抗为100 欧）的长度和宽 度。 3.2 将高阻线和扇形微带放入电路中，并仿真和优化（注意优化的变量都有哪些） 以后都按上图的拓扑方法仿真 这里有几点要十分注意： （A ）扇形微带的角度不能超过90 度（ADS 里规定的，在help 里可看见），所 以把角度设为优化变量时，该变量的上限设置只能为89 度，否则仿真要 被终止，显示“fatal error ”（这也说明了：以后仿真其他电路时，如果出 现类似提示，则可能是某些参数设置越界了！）。 （B ）ADS 中扇形微带模型和适用条件说明如下： 3.3 仿真结果分析（关键） 由上图可见：S31 很小(小于负50dB)，并且带宽很宽！说明主路射频信号在偏置 线上几乎完全衰减，达到了目的。我们希望S31 越小越好。 由上图可见：S33 很大，说明3 端口的驻波很差，说明主路信号在进入偏置电路 口的时候几乎被完全反射了回去，而不会从偏置电路泄露，从而射频信号经过偏 置电路的那个节点时衰减很小（如果S33 比较小，射频信号就会从这个偏置电路 泄露，则主路射频信号的功率就降低了，而我们却希望偏置电路对主路射频信号 的影响尽量小。比如功分器，就是射频信号进入了两条支路，所以各支路的电平 都在主路的基础上衰减了3dB ），即：偏置电路对主路射频信号的传输影响很小。 我们希望S33 越大越好（即3 端口的驻波越差越好），这样主路的射频信号才难 以进入微带偏置支路，因为都被反射了。 由上图可见：S21 很大，说明主路的插损很小，也就是说：偏置电路对主路射频 信号的影响很小。主路信号在经过偏置电路的那个接口时，几乎没有功率损失。 由上图可见：S11 很小，即1 端口（主路的输入端口）的驻波性能很好，这正是 我们所需要的，说明射频信号在主路上被反射得很少，也就是传输得很好。 3.4 生成版图 3.5 导出到autoCAD 中并填充 第4章 有助于加深理解扇形微带偏置原理的ADS 仿真分析 4.1 单根四分之一波长微带线的仿真 结论：采用单根四分之一波长高阻线微带时，S21 很大（即对10G 信号的衰减很 小），S11 也不够理想。 4.2 四分之一波长微带线+扇形微带线的仿真 上图是在未进行任何优化仿真所得到的结果。通过和上面的比较，我们发现，采 用单根四分之一波长高阻线时，S21 的损耗很小；而一旦同时加入半径为四分之 一波长的扇形微带时，S21 的信号马上就变大到 21