[工学]第23讲7-5铁电体物理效应实验研究.pptVIP

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[工学]第23讲7-5铁电体物理效应实验研究

根据光波的振动特点,可见光可分为 自然光 偏光 由光波的振动方向及传播方向所构成的平面叫振动面。 3·偏光 光性非均质体 光在其中传播时,其传播速度随振动方向的不同而发生改变的一类物质 自然光进入光性非均体后,原任意方向振动的光波,就变成两个振动方向垂直的光波 且此二光波的传播速度除个别方向外,一般是不等的。 光波在均质体中传播,其传播速度不因传播方向的改变而改变 自然光入射后也不发生双折射, 对于确定介质来说,折射率值为常数。 按光率体作图法,其图形为一球体, 任意一个通过光率体中心的切面为一圆形。 3、光性正负的判断 无论是正光性还是负光性,一轴晶光率体都是旋转椭球体,其旋转轴永为Ne轴。水平轴永为No轴。 Ne与No代表一轴晶矿物折射率的最大值与最小值,称为主折射率。 Nmax一般以Ng表示,Nmin以Np表示 当Ng=Ne,Np=No时为正光性 当Ng=No,Np=Ne时为负光性 Ng与Np之差(Ng-Np)是一轴晶矿物最大双折射率 色散现象 当ωω0时,n(ω)随着频率的增加、而增加 当外场频率接近固有振动频率ω0时,电子的振动幅度很大,以至最后摆脱了原子实的束缚,从满带进入导带,发生跃迁。氧化物的折射率与其禁带的宽度有关: 2、非线性光学效应 透明介质材料在一般光线的作用下,折射率与光强无关 若光强很高,材料中的束缚电子在激光的高电场强度作用下,将产生很大的非线性,材料的极化强度P不再与电场强度E成正比,而要用E的幂数来表示 式中  是二阶张量,表示正常的线性极化率;  是三阶张量,代表二阶非线性效应;  是四阶张量,表示三阶非线性效应。 二阶非线性效应 第一项相当于光学非线性效应产生的恒定极化分量,可称为光整流; 第二项就是通过二阶光学非线性效应产生的二次谐波分量(SHG)。 为了获得最高的二次谐波转换效率,要求基频光和倍频光在晶体中的传播速率相同,即晶体在ω和2ω下的折射率相等,否则基频光在晶体中传播时,沿途所诱发出的倍频光将因相位不同发生干涉作用而削弱,甚至抵消。 这样就可利用寻常光和异常光折射率的不同,补偿了色散所造成的折射率变化。对于有些双折射材料,有时还需加热来获得基频光和倍频光之间精确的相位匹配条件。外加直流电场和机械应力是另外两种获得相位匹配的方法。 许多有希望的非线性光学材料都是铁电体。这是由于这类材料双折射的特点及双折射受温度影响强烈的缘故 3、电光效应 外加电场所造成的晶体折射率的变化称为电光效应。一般情况下,电场对晶体折射率的影响可用一个幂级数表示: 式中 是外电场    时晶体的折射率,a和b是常数 由电场的一次线性项  造成的折射率的变化称为一次电光效应、线性电光效应或普克尔(Pockels)效应。 由电场的二次平方项  造成的折射率的变化称为二次电光效应或克尔(Kerr)效应 具有对称中心的晶体没有一次及其它奇次电光效应,只能有二次及其它偶次电光效应。二次电光效应存在于任何物体中。 半波电压是晶体用于电光调制、偏转、显示等器件时的一个重要参数。当一束激光通过晶体时,外加偏置电压将使通过晶体的两种光(寻常光和异常光)的折射率发生变化,从而改变这两种光的相位差。显然相位差取决于所加的偏置电场强度E和晶体在通光方向上的厚度使电光晶体寻常光和异常光的相位差半波(弧度)所需的电场和厚度的乘积称为半波电压。 与电光效应有关的另一个常用的参数称为半波电压即 4、光电导和光生伏特 半导体吸收光子后,引起载流子激发,增加了电导率,这附加的电导称为光电导,这种现象又称为半导体的内光电效应 附加的载流子可以来自带间跃迁,也可以来自杂质的激发,因此,光电导有本征光电导和杂质光电导之分。 (1)定态光电导同光强的关系,这就是光电导的灵敏度问题 (2)光电导的弛豫时间,这个时间标志着地导体材料对光反应的快慢 (3)光电导的光谱分布,这就是对于不同波长的光、半导体光电导的强弱问题,了解光电导的光谱分布,具有重要的实际意义 在光的照射下,半导体p-n结的二端产生电位差的现象,人们称为光生伏特效应。其过程是这样的:半导体吸收光子后,产生了附加的电子和空穴,这些自由载流子在半导体中的局部电场作用下会各自在运动到一定的区域积累起来,形成净空间电荷而产生电位差,最常见的是p-n结的光生伏特效应 光生伏特效应 图7-40 p-n结中产生光生伏特的原理图 在p-n结区附近,能量大于Eg的光子被吸收后,在p-n结中就会产生电子—空穴对。如果这些光生电子和光生空穴扩散到势垒区,则在p-n结内建电场的作用下,空穴被扫向p型区,而电子被扫向n型区,从而在p区形成空穴积累,在n区形成电子积累。 p-n结光生伏特效应的原理 7.5 铁电物理效应的实验研究 一、电介质的铁电性与热

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