[自然科学]材料的磁学性能课件.ppt

材料的磁学性能 * 第一节 基本磁学性能 第二节 抗磁性与顺磁性 第三节 铁磁性与反铁磁性 在第III阶段：随外磁场进一步增大，磁感应强度和磁化强度逐渐变缓，磁导率变小，并趋向于μ 0。当磁场强度达到Hs时达到磁饱和，这时外磁场增大，磁化强度不变。 在第二阶段磁畴壁随磁畴的增大而快速移动，称磁畴壁跳跃。与磁场夹角比较大的难磁化磁畴转向夹角较小的易磁化方向。当磁场增大到很大时，所有自旋磁矩通过磁畴壁的跳动来实现，转动到与磁畴成最小夹角的易磁化方向。 在这一阶段发生磁畴转动。磁畴由易磁化方向转动到与外磁场一致的方向。这时去除外磁场，磁畴由与外磁场一致的方向转动到易磁化方向。 2. 磁畴壁移动的阻力及产生不可逆磁化的原因 磁畴壁移动的阻力： 退磁能：由于磁畴迁移使退磁能增大； 晶体内部的缺陷、应力及组织不均匀性。 产生不可逆磁化的原因：畴壁的不可逆位移 (1)应力理论 晶体缺陷、位错等以及磁致伸缩和磁各向异性会产生第三种内应力。内应力在晶体中分布是不均匀的，应力在某些微观区域内较高，而另一些微观区域较低。在没有磁化时，畴壁处于应力较低的位置。 在外磁场作用下，畴壁发生迁移。当磁畴由一个能谷迁移到另一个能谷，这时畴壁移动是不可逆的。要使畴壁返回原来位置必须施加一定的外磁场，这就是矫顽力。 应力理论畴壁移动示意图 (a)内应力引起畴壁能的不均匀分布; (b)180°畴壁移动阻力的变化 (2) 杂质理论 杂质是指弱铁磁相、非铁磁相、夹杂物和气孔。在没有外磁场时，磁畴壁被杂质穿空，减少了畴壁的总面积，降低了畴壁能，相当于杂质对磁畴钉扎作用。 在外磁场下，磁畴壁发生弯曲，这时去除外磁场磁畴壁可以回到原来位置；进一步增大外磁场，磁畴壁脱离杂质，运动到下一个杂质位置，这个过程是不可逆的。 杂质理论畴壁移动示意图 3. 磁滞回线：磁化一周得到一个B-H闭合回线 铁磁合金的磁滞回线 剩磁现象：试样磁化到饱和磁化状态后，撤走外磁场强度，试样磁感应强度不等于零的现象。 剩余磁感应强度Br：去掉外加磁场后的磁感应强度。 矫顽力Hc：为去掉剩磁所需的临界外磁场强度。 磁滞效应：磁感应强度的变化落后于磁场强度的变化的现象。 退磁曲线上的有关物理量 退磁曲线：磁滞回线中第二象限部分 最大磁能积(BH)m=BdHd 隆起度(凸出系数)γ= (BH)m/BrHc 回复系数tanα=ΔB/ΔH 软磁材料:磁滞回线瘦小，具有高导磁与低Hc等特性。如工业纯铁、硅钢、铁镍、铁钴合金、磁性陶瓷 硬磁材料:磁滞回线肥大，具有高的Hc、Br与(BH)m等特性。如铁氧体、铝镍钴、稀土钴、稀土-铁。Nd-Fe-B 六、反铁磁性和亚铁磁性 与铁磁性金属相反，Mn, Cr等金属的A0，使相邻原子间的自旋趋于反向平行排列，原子磁矩相互抵消，不能形成自发磁化区域。这类物质称为反铁磁性物质。反铁磁性物质无论在什么温度下，其宏观表现都是顺磁性的，磁化系数χ相当于强顺磁性物质的数量级。 在A0的情况下，则φ=π、cos φ =-1时， Eex才等于最低的负值，即自旋磁矩反向排列时能量最低。 χ在高温时很小，随温度降低χ逐渐增大，降至某一温度时， χ升至最大值；温度再降低，χ又减小，最后趋于一个定值， χ取最大值的温度称为奈耳点，用Tn表示，实际上Tn表征了相邻原子自旋反向排列被完全破坏的温度，超过此温度，反铁磁性转变为顺磁性， χ服从居里一外斯定律。 反铁磁性物质χ与温度的关系 所以Tn也称为反铁磁居里点。外磁场同样会破坏原子间自旋的反方向排列，并使原子磁矩倾向于外磁场方向，所以在奈耳点以下，反铁磁材料也表现出顺磁性。 * 一、材料的磁性 物质的磁性的根源是电流，或者说，是电荷的运动。 所有物质都是由原子构成的，而原子由原子核及核外电子构成。带有负电荷的电子在原子核周围作轨道运动和自旋运动。无论轨道运动还是自旋运动都会产生磁矩。 原子核，由于带电，其运动也会产生磁矩，只是其磁矩很小，例如，氢核质子产生的磁矩仅为电子产生最小磁矩的1／658左右。 物质磁性的主要根源是电子的运动。 磁 矩 任何一个封闭的电流都具有磁矩m。其方向与环形电流法线的方向一致，其大小为电流与封闭环形的面积的乘积IΔS 在均匀磁场中，磁矩受到磁场作用的力矩J 磁矩在磁场中所受的力 所以，磁矩是表征磁性物体磁性大小的物理量。磁矩愈大，磁性愈强，即物体在磁场中所受的力也大。磁矩只与物体本身有关，与外磁场无关。 1) 轨道磁矩：由电子循轨运动产生的磁矩，以ml表示，ml为矢量，它垂直于电子运动的轨道平面，其大小为 式中:l为轨道角量子数，可取0，1，2， 3,…，( n-1)，分别代表s, p, d, f层的电子态，mB为玻尔磁子，mB=9.27×10-24 Am2，是磁矩的最小单元。 2)自旋磁矩：电子自旋运