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第十章 气敏传感器
第十章 气敏传感器
10.1 概述
10.1.1
› 1.产生原因:
› 为了确保安全,需对各种可燃性气体、有毒性气体进行检测。目前实用气
体方法很多,其中接触燃烧法和用半导体气敏传感器检测法具有使用方便、
费用低等特点。
› 2.发展过程:
半导体气敏元件是60年代初期研制成功的,最先研制的是SnO薄膜元件。
2
它是利用加热条件下SnO薄膜电阻随接触的可燃性气体浓度增加而下降,
2
实现对可燃性气体检测。
继而又发现在SnO2烧结体中添加Pt或Pd等贵重金属可提高灵敏度。1968年
诞生了商品半导体气敏元件,其后,其它材料的半导体气敏元件也相继投
放市场。
3.常用的气敏元件:
SnO半导体气敏元件,目前以TGS型和QM-N5型气敏元件为主.
2
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1
10.1.2 SnO半导体气敏元件特点
2
› (1)气敏元件阻值随气体浓度变化关系为指数变化关
系。因此,非常适用于微量低浓度气体的检测。
› (2)SnO材料的物理、化学稳定性较好,与其它类型
2
气敏元件 (如接触燃烧式气敏元件)相比,SnO气敏元
2
件寿命长、稳定性好、耐腐蚀性强。
› (3)SnO气敏元件对气体检测是可逆的,而且吸附、
2
脱附时间短,可连续长时间使用。
› (4)元件结构简单,成本低,可靠性较高,机械性能
良好。
› (5)对气体检测不需要复杂的处理设备。可将待检测
气体浓度可通直接转变为电信号,信号处理电路简单。
›
10.1.3SnO的基本性质
2
› 1.SnO物理性质:
2
› SnO是一种白色粉末,密度
2
3
为6.16-7.02g/cm,熔点为
1127℃,在更高温度下才能分
解,沸点高于1900℃的金属气
化物。SnO不溶于水,能溶于
2
热强酸和碱。
› 2.SnO晶体结构:
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