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2018-02-20 发布于河南
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FM1808ds_r2.0铁电体fram并口

FM1808 256Kb Bytewide FRAM Memory Features SRAM EEPROM Compatible 256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM • JEDEC 32Kx8 SRAM EEPROM pinout • Organized as 32,768 x 8 bits • 70 ns Access Time • High Endurance 10 Billion (1010) Read/Writes • 130 ns Cycle Time • 10 year Data Retention • NoDelay™ Writes Low Power Operation • Advanced High-Reliability Ferroelectric Process • 25 mA Active Current • 20 µA Standby Current Superior to BBSRAM Modules • No Battery Concerns Industry Standard Configuration • Monolithic Reliability • Industrial Temperature -40° C to +85° C • True Surface Mount Solution, No Rework Steps • 28-pin SOIC or DIP • Superior for Moisture, Shock, and Vibration • Resistant to Negative Voltage Undershoots Description Pin Configuration The FM1808 is a 256-kilobit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is A14 1 28 VDD nonvolatile but operates in other respects as a RAM. A12 2 27 WE It provides data retention for 10 years while A7 3 26 A13 eliminating the reliability concerns, functional A6 4