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－ 第 １ 章 － 构造与特征 目录 页数 １ IGBT 芯片构造的变迁 ･･････････････････････････ 1-2 ２ IGBT 模块的构造 ･･････････････････････････ 1-4 ３ IGBT 模块的电路结构 ･･････････････････････････ 1-5 ４ 过电流限制功能 ･･････････････････････････ 1-6 ５ 关于 RoHS 指令 ･･････････････････････････ 1-6 ６ 安规标准：关于 UL 认证 ･･････････････････････････ 1-6 前言 应用于电机调速驱动装置以及电子计算机的不间断电源等设备的 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）模块，随着近年来人们对节能、装置小型化、轻量化要求的不断提高，而 急速地发展起来。IGBT 作为一种兼具功率 MOSFET 的高速交换性和双极晶体管的高电压、大电流处理能力的 器件，今后将会获得更大的发展。 1-1 第１章 构造与特征 １ IGBT芯片构造的变迁 + 通过向门极外加正向电压来形成 N 型沟道（N 沟道型）的 IGBT，是通过在功率 MOSFET 的漏极上追加 p 层 构成的，同时也是一种通过使用基极层的电导率调制，实现大电流下低通态电阻化的器件。 IGBT 的构造可大致划分为表面栅构造和整体构造（以基极层形成为基础）。表面栅构造又分为平面栅构造 和沟槽栅构造两种。其中，平面栅构造在晶片表面（即芯片表面）形成门极，沟槽栅构造在晶片中间开槽形成 门极。整体构造又可大致分为（在关断状态时）耗尽层与集电极连接的穿透（Punch Through）型和不与集电 极连接的非穿透（Non Punch Through）型两种。 图1-1所示为 N 沟道型 IGBT 的构造比较。 富士电机从 1988 年开始对 IGBT进行产品化，至今一直在市场上供应。当时，平面栅穿透型 IGBT 为主流 产品。 当时的穿透型 IGBT是一种使用外延晶片的 IGBT，它通过从集电极大量注入载流子来实现低通态电压，同 时由于在关断状态下，需要迅速消除注入到 N基极层的载流子，所以使用了生命周期控制技术。通过这些，实 现了低通态电压及低关断损耗(Eoff)。 但是在使用了生命周期控制技术的情况下，需要通过生命周期控制技术抑制大量注入的载流子，所以在特 性改善方面受到了限制，而且在使用生命周期控制技术时，导通电压特性会产生偏差，对于近年来需求日益提 高的并列应用所需的大容量化发展等方面非常不利。 为了攻破此难题，富士电机开发了非穿透型 IGBT。非穿透型 IGBT不仅通过对集电极(p+层)的掺杂物浓度 的控制，抑制了载流子的注入效率，更减小了 N 基极层的厚度提高了输送效率。一方面由于非穿透型 IGBT可 使用 FZ（Floating Zone，区熔）晶片代替外延晶片，所以不容易受到晶体缺陷的影响；另一方面由于实现