[工学]第二章晶体三极管.pptVIP

* 第2章 晶体三极管(Bipolar Junction Transistor) 内容: 结构 BJT 工作原理(内部) 直流 特性曲线(外部) → 电路模型 主要参数 小信号 图解法 →电路分析方法 工程近似分析法(直流) 小信号等效电路分析法(交流) 2.1 半导体三极管(BJT) 一、结构 内部结构特点：①发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度 ②基区宽度很小 ③集电结面积大于发射结 工作模式：①放大：发射结正偏，集电结反偏（正向受控作用） ②饱和：发射结集电结均正偏 ③截止：发射结集电结均反偏 开关特性 二、 放大模式下工作原理 1、内部载流子传输过程 （1）发射区向基区注入电子 IE=IEn+IEp ① IEnIEp (2)电子在基区的扩散和复合 IB=IEp＋IEn －ICn1－ICBO ② (3) 集电区收集电子 IC=ICn1＋ICBO ③ 由①②③得IE=IB+IC 结论 发射结电压→IEn 转化 ICn1(不受集电结反偏电压的影响) 正向控制作用:用两端之间的电压控制第三端的电流 2、电流传输方程(Current Transfer Equation) 三种连接方式： (a)共发射极； (b)共集电极； (c)共基极 IE传输到集电极的电流分量 发射极电流IE 共基极电流传输系数 （Common Base Current Gain） 0.98 1 表示IE转化为ICn1的能力 共基: 简化为： IE传输到集电极的电流分量 基区复合电流 共射：共射电流放大系数（Common Emitter Current Gain） 是基极开路时的 集电极电流，称为穿透电流（很小） 共射电流方程简化为 共集： 其含义是：基区每复合一个电子，则有 个电子扩散到集电区去（控制能力）。 值一般在20~200之间。 表示IB对IC的控制能力 二、ICEO的物理含义 如右图，此时，集电结反偏，发射结正偏——放大模式 当IB=0时，基区的复合电流等于ICBO，则扩散到集电区的电流为 ，因而 常温下，ICEO很小，一般可忽略不计 三、模型 1、指数模型 IEBS为发射结的反向饱和电流 相应的 2、简化电路模型（共射） 晶体管三种状态的直流模型 (a)截止模型；(b)放大模型；(c)饱和模型 其中 2.4 晶体三极管的伏安特性曲线 一、输入特性曲线（Input Characteristics）（共射接法） (a)测试原理图; (b)输入特性曲线 (1) VCE=0时,集电结正偏——饱和，输入特性曲线和普通二极管的特性相似。 (2) VCE=（0~0.3）V↑→集电结正偏电压↓→集电结吸引电子的能力↑→（IE一定）IC↑（IB↓）→特性曲线右移。 (4)当VBE0时，晶体管截止，IB为反向电流。若反向电压超过某一值（V（BR）BEO）时，发射结也会发生反向击穿。 (3) VCE＞0.3V时，集电结反偏——放大模式，IB几乎不随VCE变化，但特性曲线略向右移（基区宽度调制效应），曲线基本重合。 VCE↑→集电结反偏电压↑→集电结宽度↑→基区宽度↓→复合机会↓→IB↓ 二、输出特性（Output Characteristics） 2、放大区（Action Region） 曲线较平坦，IC受IB控制 1、饱和区（Saturation Region） 曲线很陡，IC受VCE的控制 曲线略上翘（基区宽度调制效应） VA为厄尔利电压（Early Voltage） 3、截止区（Cutoff Region） IE=0以下的区域（IC=ICBO，IB=—ICBO以下的区域） 工程上，IB=0（IC=ICEO）以下区域。 4、击穿区（Breakdown Region） VCE↑→集电结