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* 第八章 大规模集成电路 第一节 半导体存储器 第二节 可编程逻辑器件简介 第八章 大规模集成电路 第一节 半导体存储器 一 随机存取存储器 （RAM） （一）静态RAM 定义：指能够在存储器中任意指定的位置随时写入和读出信息的存储器。 分类：静态SRAM 与动态DRAM 。 RAM的组成框图 1. 存储矩阵(256*4) 1 1 行地址线 列地址线 2. 地址译码器 行地址线 列地址线 地 址 3. 存储单元 4. 片选与读写控制 4096个存储单元排列成64×64列的矩阵 地址译码器 输入/输出控制电路 5.RAM的结构与工作原理 （二）动态RAM DRAM存储数据原理: 基于MOS管栅极电容的电荷存储效应。 写入数据 读出数据 刷新数据 （三）举例 MCM6264芯片采用20引脚塑料双列直插封装，单电源+5V供电。 SRAM芯片 MCM6264共有13根地址线（ A12～A0 ），8根数据线DQ7～DQ0） 故其容量为：8192字×8位（又称为8K ×8） MCM6264功能框图 字扩展 二 只读存储器 ROM 只读存储器，工作时其存储的内容固定不变。而且其内容只能读 出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) 1.ROM的分类 ROM 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 工作时，将一个给定的地址码加到ROM的地址输入端，便可在它的 输出端得到一个事先存入的确定数据。 存储矩阵 输出电路 地址译码器 数据输出 地址输入 控制信号输入( CS 、R ) ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出电路三部分组成。 2. ROM的结构与工作原理 简单ROM 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 0 0 0 1 0 1 1 1 PROM的结构示意图（编程后的PROM ） 有一种可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储 “1”，用户可根据需要 将某些单元改写为 “0”,然而只能改写一次，称其为 PROM。 字线 位线 熔断丝 若将熔丝烧断，该单元则变成“0”。显然，一旦烧断后不能再恢复。 存储 矩阵 字线 位线 PROM的结构示意图（编程前的PROM ） PROM的结构示意图（编程后的PROM ） 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 第二节 可编程逻辑器件简介 一、概述 通用型 ：功能简单且不变。是数字系统的基本构件。 数 字 集 成 电 路 如74系列、74HC系列的门电路、计数器、 寄存器和可编程器件等。 专用型：为某种专门用途而设计的集成电路（ASIC- Application Specific Integrated Circuit) 。 特点：体积小、功耗低、可靠性高；制造周期长、成本高。 1.引言 可编程逻辑器件（Programmable Logical Device简称为PLD)。这类器件 的逻辑功能是由用户通过编程设定的。 可编程器件 2.分类 PROM PLA PAL GAL 低密度可编程逻辑器件 （LDPLD） EPLD CPLD FPGA 高密度可编程逻辑器件 （HDPLD） 可编程逻辑器件 （PLD） 1)按集成密度分为: －基于与/或阵列结构的器件SPLD （PROM、 PLA、 PAL、GAL）、 CPLD（EPLD）,并称之为PLD。 － 基于门阵列结构的器件（FPGA） 1. 熔丝和反熔丝编程器件。 如：Actel的FPGA器件。 2. SRAM 器件。如：Xilinx的FPGA器件。 3. UEPROM器件，即紫外线擦除/电编程器 件。多数的EPLD器件。 4. EEPROM器件。如：GAL、CPLD器件。 3)按编程工艺分 2)按结构分 二、可编程器件举例 （一）PLD (1)PLD的电路表示法 可编程与门阵列 可编程或门阵列 (2)PLD的电路的基本结构 与门阵列可编程 或门阵列固定 例: 求输出L1、L2、L3的表达式 （二）PLA 可编程与门阵列 可编程或门阵列 （三）PAL 可编程与门阵列 固定或门阵列