计算机原理 第4章 半导体存储器.ppt

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计算机原理 第4章 半导体存储器

半导体存储器 第四章 半导体存储器 存储器 第4.1节 存储器 计算机存储器分类 (一)按材料分类 磁性存储器 如磁盘(软盘、硬盘)、磁带、磁芯 光盘 CDROM只读光盘:容量大、适合存放系统软件 CDRAM读写光盘:容量大、可改写、适合较高档 计算机的外存 半导体存储器 体积小,速度快,功耗低,是计算机的主要存储器。 CACHE、ROM、RAM均是半导体存储器,由大规模集成电路制成。 存储器 (二)按在计算机中的位置分类 内部存储器(内存) 通常直接与系统总线相连,可细分为: 内部CACHE 在CPU内作为一个高速的指令或数据缓冲区。一级CACHE,二级CACHE均指内部CACHE。 外部CACHE 通常制作在主板上,比主存储器的速度快,介于内部CACHE和主存之间的一个缓冲区。 主存储器 计算机系统主要使用的空间。要求速度快,体积小,容量大。一般为半导体存储器。 存储器 外部存储器 通常是通过总线接口电路与系统总线相连。要求容量大、 掉电信息不丢失,速度可以慢些。如磁盘、光盘 半导体存储器 半导体存储器 (一)按器件分类 双极性TTL电路 速度较快(10~50nS)、集成度低、功耗大、成本高 MOS NMOS和CMOS两种,现大量使用CMOS存储器,存储速度可达几纳秒。 特点:集成度高(单片可达1Gb)、功耗小、成本低 电荷耦合器 速度快、但成本较高 半导体存储器(重点) (二)按存储功能分类 读写存储器 随机读写存储器(RAM Random Access Memory) 可对任一单元进行读写,是计算机主存储器。62**系列 先进后出存储器(LIFO Last In First Out) 寄存器、堆栈 先进先出存储器(FIFO First In First Out) 寄存器、队列 只读存储器(ROM Read Only Memory) 只能读(用特殊方法可写入),掉电信息不丢失,可作为主存储器存放系统软件和数据等。 ROM可分为: 半导体存储器(重点) 固定ROM(掩膜ROM) 由制造厂家固化内容,不可修改 可编程只读存储器PROM 由用户固化内容,但不可修改 紫外线擦除只读存储器EPROM 27**系列:2716、2732、2764,… 27040 电擦除只读存储器EEPROM、FLASH EEPROM(28**系列):2817、28C64、28C256 FLASH:29F010、29F020 半导体存储器(重点) (三)半导体存储器的容量 表示存储器容量常用:字*位数 字:一个独立的信息单元,有独立统一的地址。 位数:一个信息单元的二进制长度(一般为1位、4位、8位) 例 一片62256为RAM存储器,容量为:32K*8 地址线15根 数据线8根 RAM的控制信号线3根( WE、OE、CE ) (62256逻辑图见后) RAM电路结构 第4.2节 RAM电路结构 基本概念 MOS型RAM一般可分为: SRAM(静态RAM) 使用触发器存储信息,速度快。如:6264 8k*8、 62256 32K*8、62010 128K*8 DRAM(动态RAM) 使用电容存储信息,速度慢,因电容有漏电,所以需要定时刷新。DRAM的刷新是按行进行刷新的。计算机中的主存多以DRAM为主。 内存的两种形式 计算机内存的两种常见形式 计算机上把内存芯片集成在一小条印刷电路板上,称为内存条。 常见的有30线、72线、168线、200线。这是指内存条与主板插接时有多少个接点(又称金手指) SIMM:单列存储器模块。只将芯片做在电路板的一边 DIMM:双列存储器模块。将内存芯片做在内存条两边,即电路板两边。 单地址译码 存储器的内部译码 一个1K*1的存储器,具有1024个存储单元,每个单元为1 位,存储器内部寻址可用单地址译码和双地址译码两种方式。 单地址译码 双地址译码 双地址译码 用5根线译码产生32根行选择线,用另外5根线译码产生32根列选择线,共产生64根地址选择线。 注:此时可将RAM看作一个矩阵,读数据时需给出行地址信号RAS (Row Address Signal) 和列地址信号CAS (Column Address Signal) 。通常先给RAS,再给CAS,经过一段时间延时,便可以在数据端读出数据 容量特别大时可采用多地址译码 基

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