CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变.pdfVIP

光 电 寻 ·苗 兴 第 19卷第3期 2008年3月 JournalofOptoelectronics·Laser Vol.19No.3 Mar.2008 二二二二留名二二二二二二二二二二 ·材料 · CIGS薄膜(InGa)2Se3一富CIr富In(Ga)的演变’ 薛玉明“’，徐传明“，张 力“，.孙 云“，王 伟4，杨保和 ‘ (I.天津理工大学，天津市薄膜电子与通信器件重点实验室，天津300191;2.南开大学信息学院，天津300071; 3.上海太阳能工程技术研究中心，上海200241;4.山西省汾阳市汾阳中学，汾阳032200) 摘要:采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜锢稼硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜。薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台 阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征。在(In,GO2头 预制层一富Cu相的演变过程 中，依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5头,Cu(In,Ga)3Set,Cu2(In,Ga)4与 (或Cu(In,Ga)2Sea,5),Cu(In,GOSe2 (液相Cu.Se)。在富Cu相一富In(Ga)相的演变过程中，依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相Cu.Se),Cu2(In, Ga)4Se7(或CuGn,Gra)2Sea.5),Cu(In,Ga)3Sea,Cu(In,Ga)5阮 。对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构 特性进行了讨论。 关键词:CIGS;OVC(ODC);(In,Ga)2Se3预制层;富Cu;富In(Ga);三步共蒸发 中图分类号二TB333 文献标识码:A 文章编号;1005-0086(2008)03-0348-04 Evolutionof(In,Ga)2阮-Curich-In(Ga)richofCIGSthinfilms XUEYu-mi昭”，XUChuarrnung3，MANGLi，SUNYun2，WANGWei4，YANGBao-he (1.TianjnKeyLaboratoryofFilmElectronicandCommunicationDevices,TianjinUniversityofTechnology,Tianjin 300191;2.CollegeofInformationTechnicalScience,NankaiUniversity,Tianjin300071,China;3.ShanghaiSolar EnergyResearchCentre,Shanghai200241,China;4.FenYangMiddleSchool,Fenyang,ShanxiProvince032200) A怡宜口d :CIGSthinfilmsweresequentiallydeposited场threestageco-evaporationtechnique.Thethickness,thecotnposition andthecrystalstructureofthefilmsweremeasuredbystepmeter,?-rayfluorescence(XRF)and?Craydiffraction(XRD) respectively.ThecryytalphaseevolutionisCu(In,Ga)5Seg,Cu(In,Ga)3Se5,Cu2(In,Ga)4Se7(orCu(In,Ga)2Se3.5)and Cu(In,Ga)头 (C}Se)successivelyfrom (In,Ga)2头 toCurichphases.ThecryytalphaseevolutionisCu(In,Ga)阮 (Cu.Se