CVD法制备SnO2纳米锥(毕业论文).docVIP

分类号： 陕西师范大学学士学位论文 题目：CVD法制备SnO2纳米锥 作 者 单 位 指 导 老 师 作 者 姓 名 专 业 班 级 提 交 时 间 CVD法制备SnO2纳米锥 （陕西师范大学 化学与材料科学学院 陕西 西安 ） 摘 要: 二氧化锡(SnO2)是一种典型的宽带隙(Eg=3.6 eV, 300 K)的N型半导体材料，在气敏传感器、透明导电薄膜、电池电极等方面应用广泛。因此，制备SnO2不同形貌的纳米结构单元及研究不同形貌的纳米结构单元的相关物理和化学性能受到了人们的极大关注。本文采用化学气相沉积法(CVD)，以SnCl2.2H2O和ZnCl2 的混合物为源物质，置于陶瓷坩埚底部，在马弗炉空气气氛中，600 oC反应，通过控制在600 oC时保温时间的长短和SnCl2.2H2O、ZnCl2比例的变化，在FTO导电玻璃衬底上制备了不同尺寸大小的SnO2纳米锥，并对其进行了SEM、XRDSnO2 纳米锥的生长机理进行了讨论。 关键词： SnO2 化学气相沉积 纳米锥 Abstract：SnO2 is the N type of a kind of breadth band gap(Eg=3.6 eV, 300 K) of typical model semiconductor material, and SnO2 are extensively used for gas sensor、Solid - state electron spare partthe lithium ion battery electrode material，and so onTherefore, exploring and studying the preparation and its grow mechanism physical properties of one dimensional SnO2 rapidly become one of nanomaterials research area hot spots. Adoptting chemical vapor deposition (CVD), we have prepared SnO2 nanowimble on the FTO substrate with a mixture of SnCl2.2H2O and ZnCl2 as source material. These are prepared in the air atmosphere at 600 oC in the porcelain crucible. The samples are characterized by XRD and SEM. The grow mechanism of samples also are discussed. Key words： SnO2 CVD nanowimble 1、引言 4 1.1、纳米科学简介 4 1.2、纳米SnO2材料的性质 4 1.3、纳米SnO2材料的制备方法 4 2、实验部分 7 2.1、实验试剂 7 2.2、实验仪器 7 2.3、SnO2纳米锥的制备及表征 7 2.3.1、SnO2纳米锥的制备 7 2.3.2、保温时间对产物形貌的影响 8 2.3.3、SnCl2.2H2O和ZnCl2的比例对产物形貌的影响 10 3、SnO2 纳米锥的生长机理 12 4、结语 14 参考文献 15 致 谢 17 1、1.1、 纳米科学是21世纪的3大支柱科学之一，随着纳米科技的迅猛发展,纳米材料被广泛应用于人类生活生产中的各个领域。纳米材料具有颗粒尺寸小（1 nm-100 nm）、表面能高、比表面积大等特点。由于其表面原子数与体相原子数之比随颗粒尺寸的减小而急剧增大，从而显示出体积效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应，在光、电、磁、力等方面呈现出一系列独特的性质[2]，由于纳米材料具有不同于体相材料的物理和化学性质，而这些性能不仅取决于材料的尺寸，还与材料的形貌有直接关系。同时，不同形貌的纳米结构也是构筑纳米器件的基本单元，因此不同形貌纳米结构的研究成为当前纳米科学与技术的前沿领域。 1.2、SnO2材料的性质 SnO2是一种重要的宽带N型半导体金属氧化物[1]，其直接带隙分别为 3.62 eV，由于其特殊的光学和电学性能，被广泛的应用于光电子和微电子领域中。由其制备的气敏传感器具有灵敏度高，工作温度低、响应时间短等特点，广泛应用于还原气体或有毒气体检测。还由于SnO2具有化学和机械稳定性，独特的光学、电学