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有源器件和模拟电路基础-I
《射频集成电路设计基础》讲义
有源器件和模拟电路基础-I
引言 附录
半导体中的一维电场和电位
数、模电路的不同工艺要求
接触电压(Contact Potential)
半导体理论基本概念 外延和非外延工艺
MOS场效应管初步 参考文献
东南大学射频与光电集成电路研究所 陈志恒, Oct-24, 2002 ↵
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引言
• 无线接收/ 发射系统由一些工作在不同频率、不同信号电平,具有不同
功能的电路模块组成,由于存在这种种不同,这些模块也常常采用不同
类型的工艺和器件
• 每种工艺都有自身的优缺点,具体工艺的选择取决于多方面的因素,技
术上的优势固然重要,经济因素( 成本、上市时间等) 往往起到决定性的
作用
• 再先进的工艺也会被淘汰,电路设计的目的在于充分发挥现有工艺的优
势,以最小的代价实现符合指标要求的电路功能,因此必须深入地学习
有关工艺的知识,但更要熟练掌握电路设计基本原理和技术,不受制于
某一种具体工艺
• 我们将主要讨论CMOS 工艺,请注意区分电路设计所涉及的共性部分和
CMOS 电路所特有的内容
射频集成电路设计基础 有源器件和模拟电路基础- I 引言 ↵
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数、模电路的不同工艺要求
• 数字电路
– CMOS = Low Power ?
– 功耗[1]
Power ∝ C V2 f (1)
L dd
» 降低Vdd ( 须降低Vth 以保持速度)
» 控制信号变化频度(Coding, Gated Clock, etc.)
» 减小有效的负载电容(Scaling)
– 速度
C V
L dd
Delay ∝ (2)
I
– 功耗延时积( 假设I 正比于V2 ) :P × T ∝ C2 V
dd d L dd
– 噪声容限、集成度、成品率...
射频集成电路设计基础 有源器件和模拟电路基础- I 数、模电路的不同工艺要求 ↵
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• 模拟电路
– 更多维的设计空间,更复杂的利弊权衡(trade-off)
» Speed-Accuracy-Power
» CMOS = Low Power ?
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