氮化镓功率元件简介-台湾电子材料与元件协会.PDFVIP

導 報 輯 專 氮化鎵功率元件簡介 Overview of GaN Based Power Device 黃智方、張庭輔 國立清華大學電子工程研究所 一、前言 一個重要趨勢為尋找新的功率元件半導 體材料，其中氮化鎵(Gallium nitride) 功率半導體元件的歷史最早可以 為備受矚目的選擇之一。本文的目的在 追溯至 1950 年代，當時使用矽(Sili- 介紹氮化鎵功率元件的優點、幾個發展 con) 、鍺(Germanium) 材料製作PN 二 方向、目前所受到的瓶頸與挑戰和未來 極體及閘流體(Thyristor) ，可以承受數 的方向，以提供讀者一個概貌。 百伏特的反向耐壓及數十安培的正向 電流。之後隨著時間演進在 1960 年代 二、材料及製程 BJT 、1970 年代MOSFET 及 1980 年代 IGBT 各自發展成熟，如今絕大部分的 承受高電壓為功率元件的基本功 功率元件市場被矽元件所佔據，應用範 能，在這個考量下，材料的崩潰電場 圍從功率幾Watt 到幾百Megawatt ，頻 (E , Critical electric field) ，是一個優先 C 率從幾十Hz 到MHz ，圖一顯示目前各 考慮的特性，而一般半導體材料的崩潰 種矽功率元件的操作範 圍及其應用[1] 。然隨著 技術的進步及各種新興 的應用出現，市場渴望 下一代的功率元件能夠 有更大的功率密度、更 快的操作頻率、更低的 功率消耗以及更好的可 靠度，矽元件的發展受 限於材料特性已不足以 滿足這方面的需求，因 此目前功率元件發展的 圖一 各種矽功率元件操作範圍和其典型應用 30 《電子資訊》 專刊�第20 卷第 1 期2014 年6 月 電場和其能隙(E , Bandgap) 約略呈下 it)[3] ，由於氮化鎵優異的材料特性， g 導 報 輯 專 列的關係式[2] ： 其各種性能指標遠遠地超過了矽和砷化 鎵(Gallium arsenide) 等傳統半導體。 5 2.36 EC 1.75 ×10 (Eg )