沟槽栅低压功率MOSFET的发展上摘要Abstract.PDFVIP

沟槽栅低压功率 MOSFET 的发展（上） ――减小漏源通态电阻 Rds（on） 吴晓鹏，张娜 北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室 摘要 近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压 MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本 文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻 R （ ）方面的技术发展， ds on 下篇着重于降低优值 FOM 方面的技术发展。 关键词： MOSFET ，通态电阻，FOM The Development of Low-voltage Trench Gate Power MOSFETs （Part I ） --Reducing drain-source on-resistance R （ ） ds on XiaoPeng WU, Na ZHANG Lab of Power Semiconductor Devices and ICs, BeiJing University of Technology Abstract Recently, the performance of low-voltage power switching MOSFET using trench technology has improved rapidly. This article discusses the new developments of these devices. The part-I focuses on the technology developments reducing on-resistance. The part-II will treat with decreasing Figure of Merit. Key words: MOSFET, on-resistance, FOM 1 回顾功率半导体器件的发展，大致可分为三个阶段。第一阶段是六十到七十年代，各种 类型的晶闸管、功率二极管和大功率达林顿晶体管有很大的发展，所以可称为是双极型时代。 在这一阶段器件主要是应用在高压低频条件下，额定功率比较大，服务对象以工业应用为主， 包括电力系统，机车牵引等。第二阶段是八十到九十年代，功率器件运用的范围逐渐广泛， 如图 1，随着功率电子电路对工作开关频率的要求越来越高，器件需要在较高的频率下工作， 传统功率晶体管由于开关速度较低，已 经 不 能 满 足 发 展 的 要 求 。 功 率 MOSFET （ power metal oxide semiconductor field-effect transistor ）的 出现给功率器件的发展注入了新的活 力。功率 MOSFET 以其开关速度快、