MgCu掺杂CdS电子结构的第一性原理研究.doc

 物 理 学 报 第 58 卷 第 6 期 2009 年 6 月 100023290Π2009Π58 (06) Π4137207 Vol . 58 ,No . 6 ,J une ,2009 ν 2009 Chin. Phys. Soc . ACTA PHYSICA SINICA Mg , Cu 掺杂 CdS 电子结构的第一性原理研究 3 党随虎1) ? 李春霞1) 韩培德2) 1) ( 长江师范学院物理学与电子工程学院 ,重庆 408003) 2) ( 太原理工大学材料科学与工程学院 ,太原 030024) (2008 年 10 月 14 日收到 ;2008 年 12 月 9 日收到修改稿) 采用基于密度泛函理论 (DFT) 的第一性原理的平面波超软赝势方法 ,对闪锌矿结构 CdS 晶体及 CdS : M ( M = Mg , Cu) 的几何结构 、能带结构 、电子态密度 、集聚数和电荷密度分布进行了研究 . 对掺杂后体系的几何结构进行了 优化计算 ,发现 Mg 和 Cu 原子掺入 CdS 后晶格常量均减少 ,晶格发生畸变 . 在此基础上研究了掺杂对体系电子结构 的影响 . 结果表明 ,Mg ,Cu 掺入 CdS 都能提供较多空穴态 ,形成 p 型电导 ,并且 Cu 较 Mg 是更好的 p 型掺杂剂 . 关键词 : 密度泛函理论 , 电子结构 , p 型掺杂 PACC : 7115M , 7115 H 杂和非掺杂体系的晶格参数 ,对掺杂 CdS 的能带结 构 、态密度以及电荷密度进行了计算和分析 . 11 引 言 21 理论模型和计算方法 Ⅱ2 Ⅵ半导体材料 CdS 因具有许多优良的光学 性质和电学性质 ,其潜在的应用一直受到人们的极 大关注. 如 CdS 材料在太阳能电 池1 , 2 、传 感 器3 、 光催化4 和非线性集成光学器件5 , 6 等领域已得到 广泛应用 . CdS 材料禁带宽度较宽 ,近似绝缘体. 纯 净 CdS 的本质光电导极其微弱 ,一般用于制造器件 时需要进行适当掺杂 . 纤锌矿结构的 CdS 在光敏器 件方面存在潜在应用 ,人们对它的掺杂进行了广泛 的研究7 —11 . 但对于闪锌矿结构的 CdS 及掺杂后的 特性关注较少12 ,13 . 因此 ,深入研究闪锌矿结构 CdS 掺杂后的晶体结构 、电子结构是了解其光电 、压电等 特性的理论基础 ,且对于进一步的实验研究和潜在 应用同样具有重要意义 . 近年来人们对纤锌矿结构 CdS 不同掺杂进行了 广泛的研究 . 掺 Cl 等元素可以提高电导率得到电学 性质较理想的 n 型 CdS 半导体材料14 —16 . 用 Cu ,Mg 等元素可以实现 CdS 的 p 型掺杂17 —20 ,而且发现 Cu 掺杂会形成陷阱小心 ,它们有较大的俘获截面 ,可以 提高空穴寿命 . 本文采用基于密度泛函的第一性原 理平面赝势波对 Mg , Cu 掺杂闪锌矿结构 CdS 的 35 原子超晶胞进行几何结构优化 ,从理论上给出了掺 2111 理论模型 闪锌矿结构的 CdS 属于 F43 m 空间群 . 晶格常 数为 51830 ! 21 , 原 子 坐 标 是 Cd ( 0 0 0) 和 S ( 0125 0125 0125) . 本文所用计算模型是在 CdS 单晶胞的基 础上构造 2 ×2 ×2 的超晶胞如图 1 ( a) 所示 ,从图中 可看出 ,CdS 中 Cd —S 键长都为 21525 ! ,Cd —S 键之 间的键角为 109°47′. Cu ,Mg 替换晶棱上 的 一 个 Cd 原子后的超晶胞结构模型如图 1 ( b) 所示. 2121 计算方法 采用基于密度泛函 (DFT) 的从头算量子力学程 序 CASTEP22 对 Mg ,Cu 掺杂 CdS 超晶胞体系的几何 结构和电子结构进行了计算. 在 DFT 中 , 描述固体 电子运动的薛定谔方程可表示为 2 z ρ( ) r q ∫| - - 2 ∑r - R + d r + VXC Ψi ( r) r - r | q q = εiΨi ( r) , (1) 3 重庆市教委科学技术研究基金 ( 批准号 : KJ 081307) 和长江师范学院重点学科基金 ( 批准号 :2003148) 资助的课题. ? E2mail : dangsuihu @126 . com 图 1 CdS 超晶胞 (a) 和 Mg , Cu 掺杂 CdS 超晶胞 ( b) 模型 其中 Ψi ( r) 表示单电子的波函数 ,ρ( r) 表示多电子 密度. (1) 式括号中各项依次表示体系中有效电子的 动能 、