半导体二极管及其基本电路教学幻灯片讲义.pptVIP

（硅二极管典型值） 2）二极管使用直流恒压降模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流恒压降模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 设 二极管使用直流折线模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流折线模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 二极管使用直流理想模型理想模型 （2）VDD=1V 时 首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 2）二极管使用直流恒压降模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流恒压降模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 （硅二极管典型值） 设 二极管使用直流折线模型 首先：将原始电路中的二极管用它的直流折线模型代替，得到右侧的电路 然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若0，则理想二极管反向截止 在本题目中理想二极管正向导通，用理想的导线代替二极管 VDD=10V 时 VDD=1V 时 二极管使用直流理想模型理想模型 2）二极管使用直流恒压降模型 VDD=10V 时 VDD=1V 时 （硅二极管典型值） （硅二极管典型值） 二极管使用直流折线模型 VDD=10V 时 VDD=1V 时 当电源电压远大于二极管管压降的情况下，恒压降模型就可以取得比较合理的结果 当电源电压较低时，就必须使用折线模型才可以取得比较合理的结果 理想模型计算最简单，但是误差最大 本题目中，二极管当作开关来使用， 即在所有时间内均导通 (一)用二极管直流模型来分析电路 例2 限幅电路 电路如图：输入正弦波，分析输出信号波形。 R=1K，VREF=3V 求（1）当 =0V、4V、6V时，求输出电压值 （2）当 时输出电压的波形 PN结具有单向导电性线性电阻具有双向导电性 真实方向 三、PN结的伏安特性曲线 PN结电压电流参考方向的规定 UT=26mV 其中 Is ? 饱和电流; UT = kT/q ?等效电压 k ? 波尔兹曼常数； T=300k（室温）时 UT= 26mv 由半导体物理可推出： ? 当加反向电压时： ? 当加正向电压时： (uDUT) PN结电流方程 四、PN结的反向击穿 反向击穿 PN结上所加的反向电压达到某一数值时，反向电流激增的现象 雪崩击穿 当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形成连锁反应，象雪崩一样，使反向电流激增。 齐纳击穿 当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电子拉出来，形成大量载流子,使反向电流激增。 击穿是可逆。 击穿是可逆。 （不可逆击穿） — 热击穿 PN结的电流或电压较大，使PN结耗散功率超过极限值，使结温升高，导致PN结过热而烧毁 PN结的反向击穿 五、PN结的电容效应（非线性电容） （一）势垒电容CB （二）扩散电容CD 第三节 半导体二极管 一、半导体二极管的结构 二、二极管的伏安特性 三、温度对二极管的伏安特性的影响 四、二极管的电阻 五、二极管的主要参数 六、二极管的型号 一、半导体二极管的结构 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 点接触型： 结面积小，结电容小 故结允许的电流小 最高工作频率高 面接触型： 结面积大，结电容大 故结允许的电流大 最高工作频率低 平面型： 结面积可小、可大 小的工作频率高 大的结允许的电流大 二极管的代表符号 规定二极管的端电压uD的参考方向和二极管的电流iD的参考方向 二、二极管的伏安特性 参考方向的选取共有四种可能，本教材中选择其中的一种。 线性电阻参考方向的选取只有两种可能：关联、非关联。 因为双向导电 （a）硅二极管2CP10的伏安特性曲线