数字电路 阎石 第3章 总结.docVIP

第3章 门电路 电路复习： 基尔霍夫电流定律(KCL)：结点 的Σi=0 基尔霍夫电压定律(KVL): 回路 的Σu=0 戴维宁定理：任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势E的理想电压源和一个内阻R0串联的电源来等效代替 电动势 E 的数值为有源二端网络的开路电压U0。内阻 R0 的数值为有源二端网络去源后的网络电阻(令电动势为零，用短路线代替；令恒流源为零，将其开路) 3.1 概述 3.2半导体二极管门电路 二极管的开关特性 二极管与门 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点：1）电平有偏移；2）带负载能力差；故一般只用于IC内部电路 高、低电平的基本开关电路：1）单开关电路（功耗较大）、2）互补开关电路（功耗极小） 集成电路：分为 双极型—TTL电路、单极型—CMOS电路、混合型 3.3 CMOS门电路 1、MOS管的开关特性 N沟道增强型MOS管(简称NMOS管)：VGSVGS(th)开启电压，D-S间形成导电沟道，VGS控制iD 1）输入、输出特性 输入特性：栅极电流等于零 输出特性（漏极特性）： 见MOS 管转移特性曲线，其中IDS是VGS＝2VGS(th)时的iD值） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS一定时，， 电阻RON受VGS 控制、可变。近似与VGS成反比，通常RON1KΩ 共源接法 NMOS管输出特性 NMOS管转移特性 2）MOS管的基本开关电路：相当于一个受VI控制的开关 3）MOS管的四种类型 增强型NMOS：P型衬底，N导电沟道，VGS＝0时没有导电沟道 开启电压VGS(th) 为正，工作时使用正电源，同时将衬底接源极或系统的最低电位上。VDS、VGS(th)为“+”极性 增强型PMOS：N型衬底，P导电沟道，VGS＝0时没有导电沟道 开启电压VGS(th) 为负，工作时使用负电源，同时将衬底接源极或系统的最高电位上。VDS、VGS(th)为“-”极性 耗尽型NMOS：P型衬底，N导电沟道，VGS＝0时已有沟道存在， VGS为正时沟道变宽iD增大。VGS为负时沟道变窄iD减小，直到VGSVGS(off)时，导电沟道消失，管子截止。 正常工作时，将衬底接源极或系统的最低电位上。 耗尽型PMOS：N型衬底，P导电沟道，VGS＝0时已有沟道存在， VGS为负时沟道进一步加宽，iD绝对值增大，当|VGS| |VGS(th) |时（即VGS VGS(th)）时，完全导通。VGS为正时沟道变窄，iD绝对值减小，直至VGSVGS(off)时，导电沟道消失，管子截止。正常工作时，衬底B接源极S或接至系统的最高电位上. 2、CMOS反相器的电路结构和工作原理 如右图CMOS逻辑门，由参数对称的增强型N沟道和P沟道MOS管构成，上面负载管(有源负载)代替了电阻。 1）电压、电流传输特性 电压传输特性 电流传输特性 2）输入端噪声容限 例：如图，前一级的输出就是后一级的输入 结论：提高VDD可以提高CMOS反相器的噪声容限 3、CMOS 反相器的静态输入和输出特性 74HC系列输入特性 4000系列输入特性 低电平输出特性： 高电平输出特性： 结论：反向器输出的高低电平与负载电流的大小有关 4、CMOS反相器的动态特性 1）传输延迟时间 2）交流噪声容限 3）动态功耗 5、其他类型的CMOS门电路 1）其他逻辑功能的门电路 与非门Y＝ 或非门 或非门存在缺点：1）…；2）或非门串联的PMOS管数目增加时，引起输出高电平变低；3）… 解决方法：CC4000和74HC系列CMOS门电路中在输入输出端分别加入反相器作缓冲级 2）漏极开路的门电路（OD门） 可将输出并联使用，实现线与逻辑 用于输出电平变换，或作驱动器 吸收大负载电流 使用时允许外接RL，VDD1可不等于VDD2 漏极开路输出的与非门74HC03 3）CMOS传输门及双向模拟开关 C接低电平0V，V I在0V～VDD的范围变化时，T1和T2都截止，输出呈高阻状态，输入电压不能传到输出端，相当于开关断开 C接高电平VDD，若0V＜V I＜（VDD-VGS(th)N），T1导通；若|VGS(th)P|≤V I≤VDD，T2导通。V I在0V～VDD变化时，至少有一管导通，输出与输入之间呈低电阻，Vo=Vi，相当于开关闭合 应用： CMOS传输门构成复杂逻辑电路 异或门、数据选择器、寄存器、计数器等 C