交流驱动大功率LED照明单元电热特性的研究.ppt

* By beijing institute of architecture design and research, CAS * breakthrough * * 实验平台 TP9016拓普多路温度记录仪示数 散热模块测温过程 经TP9016拓普多路温度记录仪对该结构的芯片基座部分进行的温度测试表明， 在干净恒温的实验室内(18℃)，芯片基座两端的温度分别为48.7℃和48.3℃， 和理论计算机及仿真数据基本一致。 致谢 报告完毕 衷心感谢各位评委老师 2x 4096×4096CCD SPIE conference –DALIAN Yanshan University 交流驱动大功率LED照明单元电热特性的研究 申请人：谷越 导师：王志斌 2010.12.10 本论文研究的主要内容  1、介绍了LED的种类、结构、封装以及发展过程，阐述了本课题研究的意义，同时对国内外最新的LED研究现状进行了分析。 2、介绍了大功率LED芯片的结构，分析了其工作原理，总结了芯片的电学特性。探寻了不同有源层材质、厚度，以及衬底、粘结材质，基座、引线等对LED元件电学特性的影响,构建了大功率LED交流小信号下的电学模型。  3、以一款大功率LED直流驱动系统为例，比较了直流驱动系统与交流驱动系统的各自特点。提出了利用LED芯片自身整流特性配以保护器件等构成复合式整流桥结构，实现交流驱动。分析了交流激励下电路参数的变化，并对其特性进行了仿真。设计了以半桥功率变换器为主电路的外围交流驱动模块，并对所设计的结构进行了仿真，根据这些特性构建了一套较为稳定的低电压脉冲交流驱动的LED工作系统，设计了过流保护，过温度保护等模块。4、设计了一款基于新型陶瓷材料的独立封装散热系统，并对该系统各层热阻值进行了理论计算，对包括热源、各散热层进行了详细分析，最后依据芯片击穿原理计算了系统总热阻，并进行了模拟仿真与实验。 表面发射(同质结构) 图2-1 边发射(异质结构) 图2-2 发光结构 目前，LED大体上可以分为两种：面发射发光二极管和边发射发光二极管。面发射发光二极管的出射光垂直于pn结平面，其典型结构如图2-1所示。另一种是边发射类型发光二极管，其出射的光平行于pn结平面。电流被介电层限制在宽度小于几十微米的条状带结构中，发光区域是沿着电流注入区域形成的，其结构如图2-2所示。边发射发光二极管与面发射发光二极管的工作机理本质上是相同的。 LED的发光机理 在PN结上施加正向偏压，产生注入效应，使结区及其左右两边一个少子扩散长度范围内的少子浓度超过其热平衡少子浓度。超过部分就是由电能激发产生的处于不稳定能态的非平衡载流子，它们必须通过复合过程，达到恒定正向注入下的新稳态。三个区域内的过剩非平衡少子必然同各子区域内的多子发生复合，当注入电流最后等于非平衡电子、空穴复合相对应的扩散电流时，系统进入新的稳态，并且能够连续不断的辐射一定量的光。 大功率LED芯片的电学特性 伏安特性 电容-电压特性 LED的电容决定其响应时间，LED的响应时间指其开始发光和熄灭的时间，是表征LED灵敏度的重要参数。 正向电压较小时，流经LED的电流很小呈现高阻状态。当LED两端电压超过死区电压以后，LED呈低阻状态电流迅速变大 LED理论模型 在进行大信号瞬态模拟时可直接采用此模型， 在进行稳态直流分析时，令电感短路， 电容开路。在进行交流信号分析时， 需在某一直流工作点上对非线性支路线性化。 此模型中考虑了LED的寄生串联电阻，寄生并联电容， 考虑了因注入电流的泄漏而引起的寄生漏电阻以及 结空间电荷电容等对LED电学特性的影响。 首先对其进行非线性支路线性化 为直流工作点， 为小信号分量。 其中 支路： 其中： 去掉非线性支路的稳态部分，保留与小信号分量 有关的部分，可得到LED交流小信号电路模型。 从激活层出射的光子密度S和注入载流子密度n服从下列方程： 联立得到一个有源非齐次方程 将瞬时电流信号表示为： 上式为光子密度与注入电信号的时间函数关系 并且经过分析表明，功率级LED芯片正向压降可以达到5V-12V， 反向抗压能力也能够达到20V左右。基本可以满足交流驱动的模式。 直流驱动与交流驱动系统比较 基于LT3476大功率白光LED的直流驱动系统 热释电敏感元件LHI778 基于CS9803GP的人体检测触发电路 驱动电路 原理图 驱动模块 仿真结构 LED两端电压及电流仿真 电源端提供稳定电压 整流滤波稳压电路 直流驱动系统整体拓扑结构 可以看出直流系统元器件较多，结构复杂，实际应用中，由于电解 电容等原件易出现故障，造成整个系统失效的例子很多。 AC-LED驱动单元结构分析 电桥臂上单颗