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薄栅氧化层经时击穿的试验分析及物理模型研究-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究
刘红侠 方建平 郝 跃
（西安电子科技大学微电子研究所，西安 !##!）
（ 年 月 日收到）
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通过衬底热载流子注入技术，对薄 层击穿特性进行了研究 与通常的 应力实验相比较，热载流子导致
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的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明，热
)
电子注入和 隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释 热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击
*+, )
穿不仅由注入的空穴数量决定) 提出了全新的热载流子增强的薄栅氧化层经时击穿模型)
关键词：薄栅氧化层，经时击穿，衬底热载流子，击穿电荷，模型
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考虑热载流子注入对氧化层击穿的影响)
本文利用衬底热载流子注入技术，分别对
引 言
器件和 阱 进行了衬底热电子
,0(*E1 9 F0(E1
（ ）和衬底热空穴 （
/E GH=G446 DA4 6:6;4A9G // GH=+
集成电路以高速化和高性能化为目标，实现着 ）的注入效应的研究 通过对于实验结
G446 DA4 DA:6G )
进一步的微细结构) 随着微细结构在工业上的实现， 果的分析和讨论，得出了/E 注入和// 注入引起
降低成本和提高集成度成为可能 另一方面，随着 的介质击穿的物理本质，提出热载流子效应增强的
)
0( 集成电路微细化的发展，栅氧化层向薄栅方向 1223 模型)
发展，而电源电压却不宜降低，这使栅氧化层工作在
较高的电
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