薄硅膜金属－绝缘层－半导体结构的电容－电压特性-应用科技.PDFVIP

第４４卷第 １期 应　 　 　 用　 　 　 科　 　 　 技 Ｖｏｌ．４４ №．１ ２０１７年２月 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｆｅｂ． ２０１７ ＤＯＩ：１０．１１９９１／ ｙｙｋｊ．２０１６０９００４ 网络出版地址：ｈｔｔｐ：／ ／ ｗｗｗ．ｃｎｋｉ．ｎｅｔ／ ｋｃｍｓ／ ｄｅｔａｉｌ／ ２３．１１９１．ｕ１０５７．０１０．ｈｔｍｌ － － － 薄硅膜金属 绝缘层 半导体结构的电容 电压特性 １，２ １，２ １，２ １，２ １，２ １，２ 高梓喻 ，蒋永吉 ，李曼 ，郭宇锋 ，杨可萌 ，张珺 １． 南京邮电大学 电子科学与工程学院，江苏 南京，２１０００３ ２． 射频集成与微组装技术国家与地方联合工程实验室，江苏 南京，２１０００３ － 摘　 要：随着各种新纳米ＣＭＯＳ器件技术的出现，在等比例缩小原则的限制下，硅膜厚度逐渐减薄，这对通过电容 电压 － － 法进行物理参数提取带来了挑战。 本文借助半导体二维仿真器件———ＭＥＤＩＣＩ，研究了不同硅膜厚度下金属 绝缘层 半 － 导体结构的低频和高频电容 电压特性，通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理，并分析了考虑金属与 － － 半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容 电压特性，为通过电容 电压特性法对薄硅膜ＭＩＳ结 构进行参数提取与表征进行了有益探索。 － 关键词：硅膜厚度；ＭＩＳ结构；电容 电压特性；绝缘层固定电荷 中图分类号：ＴＮ３８６　 　 　 　 　 　 文献标志码：Ａ　 　 　 　 　 　 文章编号：１００９⁃６７１Ｘ（２０１７）０１⁃０４０⁃０５ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ⁃ｖｏｌｔａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｔａｌ⁃ｉｎｓｕｌａｔｏｒ⁃ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｗｉｔｈ ｔｈｉｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｆｉｌｍ １，２ １，２ １，２ １，２ １，２ １，２ ＧＡＯＺｉｙｕ ，ＪＩＡＮＧ Ｙｏｎｇｊｉ ，ＬＩ Ｍａｎ ，ＧＵＯ Ｙｕｆｅｎｇ ，ＹＡＮＧ Ｋｅｍｅｎｇ ，ＺＨＡＮＧＪｕｎ １． Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｎａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｐｏｓｔｓ ａｎｄ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｎａｎｊｉｎｇ ２１０００３，Ｃｈｉｎａ ２． Ｎａｔｉｏｎａｌ ＆ Ｌｏｃａｌ Ｊｏｉｎｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｆｏｒ ＲＦ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏ⁃ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｎａｎｊｉｎｇ ２１０００３，Ｃｈｉｎａ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｗｉｔｈ ｔｈｅｅｍｅｒｇｅｎｃｅｏｆ ｖａｒｉｏｕｓｎｅｗ ｎａｎ