试验五十四硅光电池特性的研究.PDFVIP

实验五十四 硅光电池特性的研究 一、实验目的 1．掌握 PN 结形成原理及其工作机理； 2．了解 LED 发光二极管的驱动电流和输出光功率的关系； 3．掌握硅光电池的工作原理及其工作特性。 二、仪器设备 1．TKGD―1 型硅光电池特性实验仪； 2．信号发生器； 3．双踪示波器。 三、实验原理 1．引言 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电 探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体 PN 结原理 ﹑光电效应理论和光伏电池产生机 理。 图 1 是半导体 PN 结在零偏﹑ 反偏﹑正偏下的耗尽区，当 P 型和N 型半导体材料结合时，由于 P 型材料 零偏 反偏 正偏 空穴多电子少，而N 型材料电子多空 穴少，结果P型材料中的空穴向 N 型 图 1. 半导体 PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 材料这边扩散，N 型材料中的电子向 P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的 P 型区出现负电荷， N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时， 在 PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当 PN结反偏时，外加电场与 内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当 PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相 反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为 PN 结的单向导电 性,电流方向是从 P 指向 N。 2.LED 的工作原理 当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时,空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光，发光的 λhc E / p g （1） 波长与半导体材料的能级间隙E 有关。发光波长 λ可由下式确定： g p 式(1)中h为普朗克常数，c为光速。在实际的半导体材料中能级间隙E 有一个宽度，因此发光二极管发出光 g 的波长不是单一的，其发光波长半宽度一般在25～40nm左右，随半导体材料的不同而有差别。发光二极管 输出光功率P与驱动电流I的关系由下式决定： p E I e η / p （2） 式(2)中， η为发光效率，E 是光子能量，e是电 p 荷常数。 输出光功率与驱动电流呈线性关系，当电流 较大时由于PN结不能及时散热，输出光功率可能 会趋向饱和。本实验用一个驱动电流可调的红色 图 2. 发送光的设定、驱动和调制电路框图 超高亮度发光二极管作为实验用光源。系统采用的 发光二极管驱动和调制电路如图2所示。信号调制 采用光强度调制的方法，发送光强度调节器用来调 节流过LED的静态驱动电流，从而改变发光二极管 的发射光功率。设定的静态驱动电流调节范围为 0～20毫安，对应面板上的光发送强度驱动显示值 为0～2000单位。正弦调制信号经电容、电阻网络 及运放跟随隔离后耦合到放大环节，与发光二极管