黄勤拟作价出资的专有技术资产评价项目资产评价报告.PDFVIP

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黄勤拟作价出资的专有技术资产评价项目资产评价报告

黄勤拟作价出资的专有技术资产评估项目 资 产 评 估 报 告 浙勤评报 〔2009〕296号 二〇〇九年十二月二十四日 黄勤拟作价出资的专有技术资产评估项目 资产评估报告 黄勤拟作价出资的专有技术资产评估项目 资 产 评 估 报 告 浙勤评报 〔2009〕296号 摘 要 以下内容摘自评估报告正文,欲了解本评估项目的详细 情况和合理理解评估结论,应当认真阅读评估报告正文。 一、委托方和产权持有者及其他评估报告使用者 本次资产评估的委托方是浙江钱江摩托股份有限公司,产权持有者是自然人黄 勤。 根据《资产评估业务约定书》,本评估报告使用者为委托方及本次拟实施经济行 为所涉各相关当事方。 二、评估目的 因黄勤拟以其持有的专有技术作价出资,为此需要对黄勤拟出资的专有技术的 价值进行评估。 本次评估目的是为该经济行为提供拟出资专有技术价值的参考依据。 三、评估对象和评估范围 评估对象为黄勤拟出资的专有技术。评估范围为黄勤持有的四项专有技术。根 据黄勤提供的资料显示,委评的专有技术具体明细构成如下: 序号 技术名称 技术原理 MOSFET(MetalOxide1)能把一般600V的MOSFET的导通损耗下降五倍,并实现低 1 Semicoductor Field成本的批量生产; Effect Transistor, 2)高密度MOSFET的生产技术,可以使20V的MOSFET密度为9 1 浙江勤信资产评估有限公司 黄勤拟作价出资的专有技术资产评估项目 资产评估报告 序号 技术名称 技术原理 金属氧化物半导体 千万/平方厘米; 场效应管)生产、测 3)掌握了先进NextVDMOS( , 试技术 垂直双扩散金属氧化物半导体结构)技术,能生产出有很有竞 争力的低电荷MOSFET,RgxQg@4.5V VGS可以达到50 mohm-nC。 掌握第五代 IGBT(FS IGBT)的七个关键技术: 1)IGBT器件在多个复杂电参数之间的优化设计技术; IGBT(Isolated Gate 2)低损耗载流子加强型Trench IGBT技术; Bipolar 3)高压结终端技术; 2 Transistor,绝缘栅 4)硅片减薄技术; 双极型晶体管)生产 5)大面积双极性器件失效机理和其有效抑制; 工艺 6)IGBT器件的测试和可靠性验证; 7)IGBT和应用的密切关系和对器件设计的影响。 ETO产品基于发射极关断的大功率电力电子开关器件,它将金 属氧化物半导体场效应管(MOSFET)技术和可关断晶闸管(GTO)

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