GaNHEMT器件结构的研究进展-发光学报.PDFVIP

第36卷摇 第10期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾36 No郾10 2015年10月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Oct. ,2015 文章编号:1000鄄7032(2015)10鄄1178鄄10 GaN HEMT器件结构的研究进展 1 2 1 1 1 1 1* 1 于摇 宁 ,王红航 ,刘飞飞 ,杜志娟 ,王岳华 ,宋会会 ,朱彦旭 ,孙摇 捷 (1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术实验室,北京摇 100124; 2. 电子科技大学中山学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室,广东 中山摇 528402) 摘要:GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气 浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。 本文 首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料 结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进 展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。 关摇 键摇 词:高电子迁移率晶体管;氮化镓;高频;结构设计 中图分类号:TN386.3摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1178 Research Progress of GaN HEMT Device Structure 1 2 1 1 YU Ning ,WANG Hong鄄hang ,LIU Fei鄄fei ,DU Zhi鄄juan , 1 1 1* 1 WANG Yue鄄hua ,SONG Hui鄄hui ,ZHU Yan鄄xu ,SUNJie (1. Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,College of Electronic Information Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China; 2. StateKey Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Zhongshan Institute,Zhongshan528402,China) *Corresponding Author,E鄄mail:zhuyx@bjut.edu.cn Abstract:GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been widely acknowledged for use in high鄄frequency,high鄄power,and high鄄temperature applications because of th