纳米钨膜硬度、残余应力及电阻率的尺寸效应研讨.pdfVIP

材料科学 纳米钨膜硬度、残余应力及电阻率的尺寸效应 孙浩亮徐可为 西安交通大学材料科学与工程学院，西安，710049 摘要采用磁控溅射方法在Si(100)基体上沉积超薄钨(w)膜．用激光应力仪、四探针测试仪 及纳米压入仪分别研究了薄膜的残余应力、电阻率及硬度．结果表明：硬度随晶粒尺寸的变 随膜厚增加，薄膜残余应力与电阻率表现出明显的尺寸效应．结合XRD和SEM结果，从微观 结构的角度对尺寸效应的机理进行了分析． 关键词材科学；纳米钨膜；硬度；尺寸效应 引 言 随着微电子器件集成度的不断提高，薄膜材料的特征尺寸逐渐由微米量级减至亚微米量级甚至纳米量 级。大的比表面积、分立的电子能级诱使其微结构以及各种物理、化学性能发生凸变，已成为材料学界研 究的热点【1‘3】。现有的研究表明，材料的微尺度化可能带来与体材料迥异的行为和性能。如随着线宽的降低， cu膜蠕变行为发生的温度可由相应块体材料的高温区间逐渐降至室温。较之传统多晶材料(晶粒尺寸大于 1／2m)，纳米尺度的Cu、Ni薄膜具有更高的蠕变变形速率和应变率敏感性‘粥】。对于膜，基体系材料，由于基 体的约束作用，其薄膜内可存在远高于相应体材料的残余应力以及较高的表观强度，这种性能的变异直接 影响着微电子元器件与微机械系统的设计、制造及应用。 金属w膜具有良好的高温稳定性、耐腐蚀、耐氧化性及电迁移抗力，在电路门接触、大功率器件及扩 散阻挡层等领域的潜在应用引起了学者的普遍关注[4-81。研究发现w膜弹性常数和相组成具有对微结构的尺 寸敏感性降61。但超薄w膜的力学及电学性能与膜厚、晶粒尺寸等特征尺度的关系尚不清楚。随着微尺度化 的飞速发展，对超薄w膜尺寸效应的研究亟待深入。 仪分别研究了W膜的残余应力、电阻率及硬度。结合XRD和SEM结果，从微观结构的角度对超薄w膜的尺 寸效应进行了分析。 1 实验方法 1．1样品制备 5～40min。样品在400。(2、真空度优于lxl0‘5Pa下进行退火，保温lh后随炉冷却至室温。 转变为热力学稳定的Ⅱ．Wt4～。为避免两相混合及相变对研究纯p—w和纯a．w力学及电学性能的影响，实 335 中国科协第四届优秀博士生学术年会论丈集 验用循环水冷却基片台来抉得纯pw薄膜，通过迅火获得纯a-w薄膜。 1．2测试方法 D／max．2400型X射线衍射仪(cu 用Rigaku 观测w膜的截面和表面形貌。用xP犁纳米压入仪，采用连续刚度浩研究薄膜的硬度，每个试样测试10 了w薄膜电阻率和残余应力。 2结果及讨论 2．1薄膜的相组成 定性与薄膜的生长温度及薄膜生长过程中吸附的氧原子有关【6]。本文在溅射过程中用循环水冷却基片台， 使得薄膜在接近室温的情况下生长．可以制备较厚的纯B．w薄膜。遐火过程提供的能量太于相变所需的澈 活能．导致退火后Ⅱ稳态的IrW转变为热力学稳定的a-W。 20 膜的截面及表面 SEM “)tⅫ目 呲Ⅲm# 囝2沉积志钨睫的截面硬表面硭婉SEM田 336 材料科学 提取半峰宽、积分宽度等信息以获得样品的微应变和晶粒尺寸等结构参量。计算时首先要分离出K0【l衍射 尺寸具有一定的可信度。 计算的结果比较吻合。由图可见，晶界的体积含量随晶粒尺寸减小单调增加，而三叉结点含量随晶粒尺寸 减小变化较小。当晶粒从17．3nm减小到1．6nm时，晶界的体积含量增加了6％。 尼B=6(d-w)2(w／2)／a9。frj=12(d-w)2(w／2)2∥ (1) 其中d是晶粒尺寸，w是晶界宽度，GB，TJ分别代表晶界和三叉结点，假设晶界宽度w=lnm。