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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Ti3+=Ti4+·e, 其中的e为弱束缚电子， 容易在电场作用下运动而形成电导 4、半导体型介电陶瓷 电导率与施主杂质含量的关系 I区：电子补偿区 II区：电子与缺位混合补偿区 III区：缺位补偿区 IV区：双位补偿区 4、半导体型介电陶瓷 原因：(1 ) 若掺杂量过多，而Ti的3d能级上可容的电子数有限，为维持电中性，生成钡空位，而钡空位为二价负电中心，起受主作用，因而与施主能级上的电子复合，ρv↑。 可表示为： 而: , 实验发现：施主掺杂量不能太大，否则不能实现半导化， 4、半导体型介电陶瓷 （2）若掺杂量过多，三价离子取代A位的同时还取代B位，当取代A位时形成施主，提供导带电子e，而取代B位时形成受主，提供空穴h，空穴与电子复合，使ρV↑，掺量越多，则取代B位几率愈大，故ρV愈高。 4、半导体型介电陶瓷 在还原气氛中烧结或热处理，将生成氧空位而使部分Ti4+→Ti3+，从而实现半导化。（102～106Ω?cm） 取决于气氛与温度 2）强制还原法 4、半导体型介电陶瓷 强制还原法往往用于生产晶界层电容器，可使晶粒电阻率很