无机材料电导-电子电导教学幻灯片.pptVIP

第三章 无机材料的电导 ;一、电子迁移率; 当金属中有电场时，每个自由电子都因受到电场力的作用而加速，即在无规则的热运动上叠加一个定向运动。;在外电场E的作用下， 金属中的自由电子的加速度：a==eE/m e 电子每两次碰撞之间的平均时间2?； 松弛时间? ，与晶格缺陷和温度有关，温度越高，晶体缺陷越多电子散射几率越大， ?越小； 单位时间平均散射次数1/2 ? ；电子质量m e； 自由电子的平均速度：v= ?eE/m e ； 自由电子的迁移率： ?e=v/E= ?e/m e ；;3.3 电子电导;电离杂质的散射 A 掺杂浓度 B 温度;3. 其它因素引起的散射;3.3 电子电导; 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。空穴运动相当于正电荷的运动; ;（1）由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。;（1）在本征半导体中掺入三价元素的原子（受主杂质）而形成的半导体。 ; ; ;3.4.1 半导体中的缺陷能级 实际晶体的缺陷： 原子在其平衡位置附近振动 材料含有杂质 存在点缺陷 极微量的杂质和缺陷，对材料的物理性能、化学性能产生决定性的影响。 杂质和缺陷的存在禁带中引入允许电子存在单位的状态。 ;;杂质电离：正电中心磷离子对多余价电子的束缚比共价键作用弱得多，这种电子仅需很少的能量成为导电电子，在晶格中自由运动，这一过程称为杂质电离。 杂质电离能：弱束缚电子成为导电电子所需的能量。;（2） 受主杂质 受主能级;2. 氧化物中缺陷能级;（1） 价控半导体陶瓷杂质能级的形成;反应式如下: Ba2+Ti 4+O2-3+xLa3+=Ba2+1-xLa3+x(Ti 4+1-xTi3+x)O2-3+xBa2+ 缺陷反应： La2O3 =LaBa · +2e′ +2Oo× +O21/2(g);— — — — — — — —;化学计量配比的化合物分子式： MO 有阳离子空位的氧化物分子式： M 1-xO 形成非化学计量配比的化合物的原因：由温度和气氛引起。 平衡状态，缺陷反应如下： O21/2(g)=VM×+2Oo× VM× = VM′ + h · VM′ = VM′′ + h · 出现此类缺陷的阳离子往往具有正二价??正三价。;阳离子空位形成的缺陷能级;化学计量配比的化合物分子式： MO2 有氧空位的氧化物的分子式： MO2-x 形成非化学计量配比的化合物的原因：由温度和气氛引起。 平衡状态，反应如下： Ti4+ O2 = x/ 2 O2 (g)+ Ti4+1-2 xTi3+2xO2-2-x?x 缺陷反应： 2Oo = Vo·· +2e′+O1/2(g) 出现此类缺陷的阳离子往往具有较高的化学价态。;氧离子空位形成的缺陷能级;化学计量配比的化合物分子式： MO 有间隙离子的分子式： M1+xO 形成非化学计量配比的化合物的原因：由气氛引起。 平衡状态，缺陷反应： ZnO = Zni× + 1/ 2 O2 (g) Zni×= Zni· + e′ Zni · = Zni·· + e′ 出现此类缺陷的阳离子往往具有较低的化学价态。;3.4.2 p-n 结;合金结的杂质分布：;ND;多数载流子：n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴. 少数载流子：p型半导体中的电子和n型半导体中的空穴. 空间电荷区：电离施主和电离受主所带电荷存在的区域。 表面空间电荷层：表面与内层产生电子授受关系，在表面附近形成表面空间电荷层。 电子耗尽层：空间电荷层中多数载流子浓度比内部少。 电子积累层：空间电荷层少数载流子浓度比内部少。 反型层：空间电荷层中少数载流子成为多数载流子。;3. p-n结能带图及载流子的分布;空间电荷区内电势由 n?p区不断下降， 空间电荷区内电势能由 n?p区不断升高， p区能带相对向上移， n区能带向下移，至费米能级相等， n-p结达平衡状态，没有净电流通过。 势垒高度：qVD = EFn—EFp;（2） p-n结载流子的分布;平衡载流子： 在一定温度下，半导体中由于热激发产生的载流子（电子或空穴）。 非平衡载流子：由于施加外界条件(外加电压、光照)