应用于先进逻辑与节能电子电路之先进非对称金氧半场效电晶体技术.PDFVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 應用於先進邏輯與節能電子電路之先進非對稱金氧半場效 電晶體技術(I) 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 99-2221-E-009-172- 執 行 期 間 ：99年08月01日至 100年07月31日 執 行 單 位 ：國立交通大學電子工程學系及電子研究所 計 畫 主 持 人 ： 黃調元 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：卞孝雄 碩士班研究生-兼任助理人員：顏同偉 碩士班研究生-兼任助理人員：蘇段凱 碩士班研究生-兼任助理人員：王崇名 碩士班研究生-兼任助理人員：彭梵懿 碩士班研究生-兼任助理人員：周涵宇 碩士班研究生-兼任助理人員：張維真 博士班研究生-兼任助理人員：林政頤 博士班研究生-兼任助理人員：蔡子儀 報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 公 開 資 訊 ： 本計畫可公開查詢 中 華 民 國 100 年 12月 14 日 中 文 摘 要 ： 我們利用I-line雙重微影技術，透過兩次黃光和蝕刻製程定 義出閘極長度小於100奈米的金氧半場效電晶體。利用此技 術再搭配獨立源極/汲極接面設計與製作，如:非對稱源汲極 接面濃度、斜角度離子佈植、非對稱大傾角佈植，研製與開 發多種前瞻且富潛力奈米級非對稱結構的場效電晶體，並對 這些不同的非對稱源極/汲極電晶體進行研究與分析，進而達 到電晶體最佳化特性，降低漏電流以及低功率消耗之目的。 中文關鍵詞： I-line雙重微影技術、非對稱源汲極接面濃度、斜角度離子 佈植、非對稱大傾角佈植 英 文 摘 要 ： 英文關鍵詞： 應用於先進邏輯與節能電子電路之先進非對稱金氧 半場效電晶體技術 計畫編號： NSC 99-2221-E-009 -172 主持人：黃調元 單位：國立 交通大學電子 工程學系 E-mail ：tyhuang@.tw 電話 ：(03)571-212 1 ext 54227 計畫簡介 (a) 在本計劃中，我們利用I-line雙重微影技術， 透過兩次黃光和蝕刻製程定義出閘極長度小於 100 奈米的金氧半場效電晶體。利用此技術再搭配獨立 源極/汲極接面設計與製作，如:非對稱源汲極接面 濃度、斜角度離子佈植、非對稱大傾角佈植，研製 與開發多種前瞻且富潛力奈米級非對稱結構的場 效電晶體，並對這些不同的非對稱源極/汲極電晶 體進行研究與分析，進而達到電晶體最佳化特性 ， 降低漏電流以及低功率消耗之目的。