第六章 霍尔传感器.pptVIP

第六章 霍尔传感器 霍尔式传感器是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量、如电流、磁场、位移、压力等转换成电动势输出的一种传感器。 一. 霍尔效应和工作原理 一块长为l、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中，如图5-20所示。当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。这种现象称为霍尔效应。霍尔式传感器是由霍尔元件所组成。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势 c d a b 通常，N型半导体的霍尔常数比金属要大，所以一般采用半导体制作霍尔元件。此外，元件的厚度d对灵敏度影响很大，元件越薄，灵敏度越高，所以霍尔元件的厚度一般都比较薄，1um左右 霍尔电动势大小是理想情况下得到的，实际中会受到一些因素的影响。如磁场方向、元件形状、控制电极形状等。 霍尔电动势的大小正比于控制电流和磁感应强度B的乘积，K11称为霍尔元件的灵敏度，越大越好。 二、霍尔元件的测量电路 三、霍尔元件的测量误差和补偿方法 受多种因素影响，主要有： 一是半导体的固有特性； 二是半导体制造工艺。 零位误差 温度误差 产生原因： ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上;  ② 材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀;  ③ 激励电极