北京大学半导体器件类.ppt

* IME PKU 第四节 氮化硅（SNM）存储器 Control Gate I(2) I(1) I(3) D S 氮化硅非挥发性存储器(SONOS)结构 与浮栅ROM类似，只是用氮化硅替代了浮栅的多晶硅，利用氮化硅中的电荷陷阱态实现电荷的存储 SNOS MNOS 优点：编程电压低、工艺简单 缺点：在整个沟道区编程 IME PKU 第四节 氮化硅（SNM）存储器 氮化硅结构的能带图 编程过程 中，电子通过SiO2和部分Si3N4的 FN隧穿、与电荷陷阱态间的直接隧穿、从电荷陷阱态的PF发射是主要输运机制 进入到氮化硅的电子进入到陷阱态 第1项是P-F发射，第2项是陷阱电子的隧穿场发射，第三项是低场限制电路En是氮化硅中的电场，E2是陷阱能级 IME PKU 氮化硅（SNM）存储器 (a) 单栅结构 (b) 双栅结构 氮化硅（SNM）存储器单元 IME PKU 氮化硅（SNM）存储器 氮化硅（SNM）存储器单元 氮化硅（SNM）存储器电路 IME PKU 四、铁电存储器(FeRAM) 4.1 FeRAM的工作原理 铁电材料特性及其存储信息的原理 4.1.1 铁电材料特性： 自发极化和极化的电滞回线现象 饱和和剩余极化Pr 矫顽场Vc 疲劳特性(Fatigue) 印迹特性(Imprint) FeRAM、MFIFET 四、铁电存储器(FeRAM) 四、铁电存储