[工学]第8章80C51的串行总线扩展m2.ppt

* * 多字节操作（突发模式） 每次写入或读出8个字节时钟日历数据或31个字节RAM数据。与单字节时相似，仅需将A0~A4换成“11111” 。 DS1302 RAM单元共31个,其命令控制字为C0H～FDH，其中奇数为读操作，偶数为写操作. * * 8.3.3 DS1302的寄存器及RAM 日历时钟相关寄存器 寄存器名 命令字节 范 围 位内容 写 读 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 秒 80H 81H 00～59 CH 秒的十位 秒的个位 分 82H 83H 00～59 0 分的十位 分的个位 时 84H 85H 01～12或00～23 12/24 0 A/P HR 小时个位 日 86H 87H 01～31 0 0 日的十位 日的个位 月 88H 89H 01～12 0 0 0 0/1 月的个位 星期 8AH 8BH 01～07 0 0 0 0 0 星期几 年 8CH 8DH 00～99 年的十位 年的个位 时钟控制：1，停振；0，工作 D7=1，12小时制，D5=1，上午 D7=0， 24小时制，D5D4十位 教材表8.2错 * * 其它寄存器及RAM 寄存器名 命令字节 范 围 位内容 写 读 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 写保护 8EH 8FH 00H～80H WP 0 涓流充电 90H 91H - TCS DS RS 时钟突发 BEH BFH - - RAM突发 FEH FFH - - RAM0 C0H C1H 00H～FFH RAM数据 … … … 00H～FFH RAM30 FCH FDH 00H～FFH 写保护位：1，写保护；0，未写保护 DS: 01，选一个二极管;10，选2个二极管;11或00，禁止充电 RS：00,不充电;01,2KΩ电阻;10,4KΩ电阻;11,8KΩ电阻 TCS: 1010,慢充电 教材表8.3错 * * 8.3.4 DS1302与单片机的接口 接口电路 驱动程序 SCLK EQU P1.0 SIO EQU P1.1 RST EQU P1.2 ORG 0000H JMP MAIN ORG 0040H MAIN:MOV 30H,#00H;秒 MOV 31H,#08H;分 MOV 32H,#00H;时 MOV 33H,#08H;日 MOV 34H,#08H;月 MOV 35H,#01H;星期 MOV 36H,#08H;年 CALL INIT SJMP $ 字节写入子程序(写入内容在B中) WRB:MOV 40H,#8 LPW:MOV A,B RRC A MOV B,A MOV SIO,C SETB SCLK CLR SCLK DJNZ 40H,LPW RET 字节读出子程序(读出内容在A中) RDB:MOV 40H,#8 LPR:MOV C,SIO RRC A SETB SCLK CLR SCLK DJNZ 40H，LPR RET 24小时制，下午 时钟工作 初始化及启动计时子程序(时间、日期初值在30H～36H单元)： INIT:CLR RST CLR SCLK SETB RST MOV B,#8EH;清保护位 CALL WRB MOV B,#00H CALL WRB SETB SCLK CLR RST MOV R0,#30H MOV R7,#7 MOV R1,#80H;写秒命令 LOOP:CLR RST CLR SCLK SETB RST MOV B,R1;写入写秒命令 CALL WRB MOV A,@R0;写秒数据 MOV B,A CALL WRB INC R0 1NC R1 1NC R1 SETB SCLK CLR RST DJNZ R7,LOOP CLR RST CLR SCLK SETB RST MOV B,#8EH;WP置1，写保护生效 CALL WRB MOV B,#80H CALL WRB SETB SCLK CLR RST