[工学]第四章存储器.ppt

掌握 1、存储器结构构成 从内到外依次为： 速度最快的是： 容量最大的是： 2、半导体存储器分类有哪些，其中不同类型存储芯片分别应用于哪些方面，储存哪些内容。 3、构成一个存储器，选择芯片是需要考虑哪些因素？ 4、存储器芯片的引脚信号线有几类，分别是什么？ 5、存储器芯片的位扩展，子扩展，字位扩展指什么，如何实现？ 4.1存储器体系结构 分级存储结构 虚拟存储器结构 存储器的性能指标 (1)存储容量 (2)存储速度 (3)可靠性 (1)存储容量 存储容量 是指一块存储芯片上所能存储的二进制位数。 假设存储芯片的存储单元数是M， 一个存储单元所存储的信息的位数是N，则其存储容量为M×N。 例题 1、已知单片6116芯片的地址线是11位， 每个存储单元是8位，求其存储容量? 解: 因为可编址范围211 ，即M＝ 211 ， 每个存储单元可存8位，即N＝ 8， 所以， 6116的存储容量 = 211×8 = 2×1024×8 = 2K×8 2KB 例题 2、若要组成64K字节的存储器，以下芯片各需几片? ①6116(2K×8) ②4416(16K×4) 区别：芯片的存储容量和微机的存储容量 微机的存储容量 —— 由多片存储芯片组成的总存储容量。 ①微机的最大内存容量 —— 由CPU的地址总线决定。 如：PC486，地址总线是32位， 则，内存容许最大容量是232=4G； ②实际的装机容量 —— 由实际使用的若干片存储芯片组成的总存储容量。 (2)存储速度 存储器的存取速度是影响计算机运算速度的主要因素，用两个参数来衡量： ①存取时间TA （Access Time）—— 定义为启动一次存储器操作（读或写），到完成该操作所经历的时间。 ②存储周期TMC（Memory Cycle）—— 定义启动两次读（或写）存储器操作之间所需的最小时间间隔。 (3)可靠性 存储器的可靠性用MTBF来衡量。 MTBF即Mean Time Between Failures —— 平均故障间隔时间，MBTF越长，表示可靠性越高。 随机存储器举例 RAM(Random Access Memory)意指随机存取存储器，其工作特点是：在微机系统的工作过程中，可以随机地对其中的各个存储单元进行读／写操作。读写存储器分为静态RAM与动态RAM两种。 静态RAM的基本存储单元是由六个MOS管构成，所以， 静态存储电路又称为六管静态存储电路。这种存储电路的读 出过程是非破坏性的，即信息在读出之后，原存储电路的状 态不变。 1．静态RAM存储器芯片 (1)． Intel 6264 Intel 6264是一种8K×8的静态RAM存储器 芯片，其最基本的存储单元就是如上所述 的六管存储电路,其它的典型芯片有 Intel 6116/62256等。 引脚介绍 A0-A12：13根地址信号输入引脚，决定该芯片有8K个存储单元 D0~D7 ：8根双向数据输入／输出信号引脚 /CS1，CS2：片选信号，当/CS1=0且CS2=1时，该片子被选中 /OE：输出允许信号，当/OE=0时，CPU才能够从芯片中读数据 WE： 读／写控制信号输入引脚，当WE为低电平时，使 输入三态门导通，信息由数据总线通过输入数据控制电 路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存储单元读 出信息送到数据总线 。 下表总结4个控制信号的功能： DRAM的接口特性 1、刷新问题 DRAM利用场效应晶体管栅极电容充放电状态表示0和1，所以需要定时刷新。 2、地址信号输入问题 DRAM芯片集成度高，存数容量大，导致能够引出的引脚数目不够，所以采用两路复用锁存方式寻址。 DRAM芯片内部结构 1、没有专门的片选线，使用行列信号选通。 2、数据线非双向，分设Din Dout 3、读/写控制信号一根线完成 2、全部存储单元分散配置为4个行列矩阵。 实现刷新的三种方式 CPU通过控制逻辑实现 DMA控制器实现 专门的DRAM控制器实现 例：CPU控制刷新的逻辑接口 P191 存储器系统的构成 芯片的选配 CPU与存储芯片的连接方式 地址单元个数的扩展（字扩展） 单元位数的扩展（位扩展） 字位扩展 芯片选择 ①SRAM与CPU连接，不需要外围电路，连接简单，用于小型控制系统。 ②DRAM常用于大型系统，因为需要刷新电路，比如PC机的内存条。 ③ROM通常用于存放固定的