[理学]半导体基础知识.ppt

* 当Uce=0，Ube开启电压时，集电极发射极电子受基极正电压的吸引向基极移动，此时Ib最大（相同Ube下，Uce=0时，Ib最大。随着Uce的增大，Ib是减小的）是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。 门槛电压：当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通. 工作压降：导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 简单说就是：管子的內阻, 迫使电压下降, 硅管要下降0.7左右.锗管要下降0.3左右, ?比如给硅管提供1.5v的电压, 出来就只有0.8v左右了.....  * 只有在放大区，IB的微小变化才会引起IC有很大的变化。同时IC的变化基本上与UCE无关，它只受IB的控制。可见，半导体三极管只有工作在这个区域才具有电流放大作用。（此时小水闸慢慢加力开启即是Ib增大，大水闸的水流也慢慢加大，Ic随着Ib增大而增大。）三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 放大区： １、Ic受Ib控制，Ic＝βIb。 ２、VCE 0.6 V左右(硅管)。发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 ３、发射结正偏、集电结反偏 * 饱和区： 1、Ic受VCE的控制，三极管没有放大作用。 2、集电极和发射极相当于短路，集电极和发射之间的内阻最小。 3、发射结和集电结均为正偏。 （小水闸完全开启后，大水闸的水流不再随着小水闸继续给力而加大了，而是看其他方面了，此时，水闸完全通畅，相当于三极管是通的，此时的三极管在电路开关中起到“通”的作用。） * 处于截止状态的三极管，由于发射结和集电结均反向偏置，相当于集电极与发射极之间断路，它也失去了放大作用，所以此时的三极管可以起电路开关中的“关”作用。(相当于小水闸还没有开启，此时大水闸也是关闭的，是不会有水流出的。) 截止区： １、IB≤0的区域，发射结电压Ube 小于 0.6—0.7V的导通电压。 ２、发射结和集电结均为反偏。 * 从上述三个工作区可见: 放大电路中的三极管大都工作在放大区。 如果将三极管交替应用在截止区和饱和区，它就可以起到电子开关的作用，这在脉冲单元电路中将得到广泛的应用。 * * 开启小水闸的力度还不够，还没到三极管的开启电压，两个PN结都是截止的。此时当做开关的话是关的。 * 小水闸慢慢开启（Ib），此时大水闸也跟着被开启（Ic），也就是用很小的力可以得到很大的水流，放大作用。 * * * 击穿的过程就是基区消失的过程，PN结空间电荷区变宽，直到基区消失！ * * 增强型NMOS开启电压为2V 。 转移特性曲线： 转移特性是指，Uds保持不变，Id与Ugs的函数关系，如上图转移特征曲线可见：当UgsUgs(th)(即Ut)时，Id=0，此时栅电极下没有导电沟道形成；当UgsUgs(th)(即Ut)时，随着Ugs的增加Id将迅速增加。这就是说，增强型场效应管只有当UgsUgs(th)(即Ut)时，才起控制漏极电流Id的作用，所谓转移特性，实际是栅源电压Ugs对漏极电流Id的控制特性。 输出特征曲线： Ugs保持不变，Id与Uds的函数关系，当UgsUt(为2V)时，才开始产生Id电流，它的输出特性可分为可变电阻区、放大区、截止区、击穿区。 * * 此时的Ids=Kn/2(Ugs-Ut)^2, 此时0Ugs-UdsUt，即UgdUt,从Ids的表达式可以看出饱和区Ids与Uds无关，只随着Ugs的增大而增大。 * 根据线性区Ids的理想表达式： Ids=Kn[(Ugs-Ut)Uds-Uds^2],可以根据二元一次方程的最大最小值大体给出特性图（开口向下，在X轴右侧）。 * * * * * * * * * * 3、饱和区： 晶体管工作在饱和模式下： UBE0.7V，UBC0，即：Je、Jc均正偏。 特点：曲线簇靠近纵轴附近，各条曲线的上升部分十分密集，几乎重叠在一起，可以看出： 当 IB 改变时，Ic 基本上不会随之而改变。 晶体管饱和的程度将因IB和Ic的数值不同而改变。 总结 * 一般规定： 当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0） 当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和； 饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。 4、击穿区 随着UCE增大，加在JE上的反向偏置电压UCB相应增大。 当UCE增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿，造成集电