[电脑基础知识]微型计算机原理与接口技术chapter2.ppt

复位时各内部寄存器的值 当RESET信号变成高电平时，CPU结束现行操作，各寄存器复位成初值，如表所示： 标志寄存器 清零 指令指针IP 0000H CS寄存器 FFFFH DS寄存器 0000H SS寄存器 0000H ES寄存器 0000H 指令队列 变空 其他寄存器 0000H （2）最小模式下存储器读周期 T1 T2 T3 T4 T1 CLK M/IO BHE AD ALE RD DT/R DEN READY 地址 状态 地址 数据 15~0 A 19~16 S3~S6 存储器读周期时序 存储器读周期时序说明 T1开始使M/IO,DT/R有效，输出地址信号A19～A16、A15～A0和BHE信号，ALE有效(高电平)。 T1上升沿，ALE无效，变为低电平,锁存地址和BHE。 T1下降沿（T2开始）输出状态S3～S6，AD15～AD0浮空，BHE无效，输出S7。RD和DEN信号有效，打开三态门读取数据。 T3上升沿检测READY信号，若READY为高电平，则下一个为T4状态；否则插入等待时钟周期Tw 。 T3下降沿RD和DEN无效，数据总线浮空。 T4上升沿DT/R无效。读取数据时间RD或DEN为2T=400ns （3）具有等待周期的存储器读周期 T1 T2 T3 T4 T1 地址 状态 地址 数据 CLK M/IO A BHE AD ALE RD DT/R DEN READY 15~0 19~16 S3~S6 具有等待周期的存储器读周期时序 TW 时序说明：在T3上升沿检测READY，若为低电平，则下一个T状态为Tw；若为高电平，则下一个状态为T4。插入一个Tw的RD有效时间为3T=600ns （4）最小模式下存储器写周期 时序说明： T1 T2 T3 T4 T1 地址 状态 地址 数据 CLK M/IO A BHE AD ALE WR DT/R DEN READY 15~0 19~16 S3~S6 存储器写周期时序 DT/R为高电平。 AD15～AD0输出地址后，紧接着输出数据，T4上升沿浮空。 T1下降沿输出写信号WR。 （5）最小模式下I/O端口读时序 时序说明：与存储器读周期的区别是M/IO为低电平，其余均相同。 注：最小模式下I/O端口写时序与存储器写时序类似，只是M/IO为低电平。 T1 T2 T3 T4 T1 地址 状态 地址 数据 CLK M/IO A BHE AD ALE RD DT/R DEN READY 15~0 19~16 S3~S6 输入周期时序 （6）最大模式下读总线时序 与最小模式的读操作的不同 （1）开始前，S2~S0全为高电平，其中有低便开始工作。 （2）*ALE、*MROC、*IORC、*DT/R、*DEN由8288提供 （3）*MROC或*IORC代替了M/IO及RD的组合； （4）在T3状态读取数据后， S2~S0全部进入高阻状态，一直维持到T4状态。 （5）在T4状态，数据从总线上消失，S7~S3进入高阻状态，而 S2~S0产生新的电平。 （7）最大模式下写总线时序 （8）最小模式下的总线保持 HOLD为高后，在下一个时钟周期的上升沿检测到。在T4或Ti的下降沿使HLDA为高。 * （1）从存储器取指令，指令译码 （2）简单的算术逻辑运算 （3）在处理器和存储器或者I/O之间传送数据 （4）程序流向控制 * （1）主频是指微型计算机中CPU的时钟频率，一般相同架构的处理器主频越高则速度越快。 （2）字长指微型计算机能够直接处理的二进制数的为数，字长越长运算精度越高，功能越强。 （3）内存容量：微型计算机存储器能存储信息的字节数，内存容量越大，能存储信息越多，信息处理能力越强。 （4）存取周期：主存储器完成一次读写所需要的时间，存取时间越短则存取速度越快，是整机的运算速度提高。 （5）运算速度：微机每秒所能执行的指令条数。 （6）内核数目 （7）高速缓存 * * 总线标准的特性： （1）物理特性：总线物理连接的方式。包括总线的根数、总线的插头和插座的形状、引脚是如何排列等。 （2）功能特性：这组总线中每一根线的功能是什么 （3）电器特性：定义每一根线上信号的传递方向及有效电平范围。 （4）时间特性：定义了每根线上的信号在什么时间有效。 * 外部总线：USB总线，IEEE1394 * 锁存器74LS373,缓冲器74LS245, 8259A 可编程中断控制器 8254 可编程计数/定时器 8255 可编程并行接口芯片 8251A 可编程串行接口 8237A 可编程DMA控制器 A/D，D/A 模/数和数/模转换芯片 * * * 存储器分段示意图 高地址 低地址 段基址 段基址 段基址 段基址 最大64KB，最小16B 段i-1 段i 段i+1 存储器中的逻辑地址和物理地址