[信息与通信]第3章高频小信号放大器.ppt

1、三级管的电压增益： 此处， 为晶体管的输出导纳； 为晶体管在输出端1、2两点之间看来的负载阻抗，即下一级晶体管输入导纳与LC谐振回路折算至1、2两点间的等效导纳。 显然， 可以看成是1、2 两点间的总等效导纳。 yoe 2、将所有元件参数都折算到LC回路两端： yoe 由LC回路两端看来的总等效导纳为： 3、放大器的电压增益： 在谐振时： 为了获得最大功率增益，应适当选取p1与p2的值，使负载导纳YL能与晶体管电路的输出导纳相匹配。 匹配条件： 即： GP通常很小，与 相比常忽略，因而上式变为： 于是求得导纳匹配时的接入系数值为： 得匹配时的谐振回路放大器的电压增益： 3.3.2 谐 振 功 率 增 益 AP 1、谐振时的功率增益为: gi1为本级放大器的输入端电导；gi2为下一级晶体管的输入电导。 若采用相同的晶体管，则gi1=gi2，因此得 在忽略回路损耗GP时，由式（4.3.8）得匹配时的最大功率增益为： 2、插入损耗 ①插入损耗定义 ②不考虑Gp损耗时，负载 上所获得的功率： ③考虑Gp损耗后，负载 上所获得的功率： ④回路的无载Q值和有载Q值： ⑤插入损耗： 用分贝表示： ⑥考虑插入损耗后，负载匹配时功率增益： ⑦考虑插入损耗后，谐振回路放大器的电压增益： 2011.3.21 1、由（3.3.3）与（3.3.4）得放大器相对电压增益及通频带 ①相对电压增益： 3.3.18 ②放大器的通频带： 可见ＱＬ越高，则通频带越窄。 ③电压增益与总电容、同频带的关系： 因回路电导可表示为： 谐振电压增益为： 此式说明，晶体管选定以后（即yfe已经确定），接入系数不变时，放大器的谐振电压增益Av0只决定于回路的总电容CΣ和通频带2Δf0.7的乘积。电容CΣ越大，通频带2Δf0.7越宽，则增益越小。 电容CΣ的最小值是回路不外接电容，回路电容由晶体管的输出电容、下级晶体管的输入电容、电感线圈的分布电容以及安装电容等组成。这些电容属于不稳定电容。从谐振曲线稳定的角度来看，希望外加电容大，即CΣ大，以使不稳定电容的影响相对减弱。从提高增益的角度看应减小回路电容CΣ 。 3.3.20 2011.9.27 2、放大器的选择性（矩形系数）： 单调谐回路放大器的矩形系数远大于1。它的谐振曲线和理想矩形相差较远，所以邻道选择性差。 图3.3.4 单调谐放大器的级间耦合网络形式 End 例3.3.3（留作本次作业） 设计一个中频放大器，指标如下：中心频率 f0=465kHz，带宽2Δf0.7=8kHz。负载ZL为下级一个完全相同的晶体管的输入阻抗，采用自耦变压器-变压器耦合网络。 解：选用晶体管的参数：当Vce=6V，IE=2mA时，它的y参数为 gie=1.2mS，Cie=12pF；goe=400μS，Coe=9.5pF; |yfe|=58.3mS, φfe=-22°; |yre|=310μS,φre=-88.8o 设暂时不考虑yre的作用，则 Yi≈yie=gie+jωCie=[1.2×10-3+j2*3.14* 465*103 *(12×10-12)]S =（1.2+j0.035）mS 输出导纳 ：Yo=yoe=goe+jωCoe=(0.4+j0.0278)mS 图中R1、R2为偏置电阻，调整它们的值使IE=2mA。C1为旁路电容，它的阻抗在465kHz时应远小于R2。例如，若R2=5kΩ，则C1可选为0.05~0.1μF。Re是为偏置稳定而加设的射级电阻，一般典型数值约为500~1000Ω，旁路电容Ce仍可用0.05~0.1μF。 Rc、Cc为去藕电路，用于消除各放大器间通过电源所引起的寄生耦合，一般取Rc=500 Ω左右，Cc取0.05μF。 设选取回路总电容CΣ=200pF，则回路电感为 IE=2mA 若回路的空载品质因数Q0=100，则回路损耗电导为 5kΩ 0.05~0.1μF 500~1000Ω 0.05~0.1μF 0.05μF 500 Ω 586μH IE=2mA 5kΩ 0.05~0.1μF 500~1000Ω 0.05~0.1μF 0.05μF 500 Ω 586μH 由此求得并联到LC回路上的总损耗电导： 匹配时的初次级抽头系数： 若单级放大器