[工学]第二章 晶体管.pptVIP

2.1 双极型晶体管 双极型三极管BJT结构 2.1.1 工作原理 内部：发射区杂质浓度高；基区很薄且杂质浓度很低；集电区面积大。 外部：发射结加正向电压；集电结加反向电压。 二、内部载流子的运动 载流子的传输过程 三、电流分配 2.1.2 晶体管的静态特性曲线 一、共射输入特性曲线 实验线路 交流电流放大系数 2、共基极 3、反向击穿电压 V(BR）CBO： 发射极开路时的集电极基极间的反向击穿电压。一般比较高，从几十伏到几千伏不等。 各击穿电压的关系 三极管的安全工作范围 交流工作时，由于存在结电容，所以频率愈高，电流放大倍数β愈小，当β =1时的输入信号频率即fT 。 例题 1、由电极电位判断三极管的工作状态。 在电路中，测得下述6组三极管三个极的电位： 1）NPN管：(1) 1V 0.3V 3V (2) 0.3V 0.7V 1V (3) 2V 5V 1V 例3:图中管子的?=100，RB=50K?, Rc=1K?,管子工作在什么状态？此时VCE=? RB多大时，管子工作在放大状态？ 管子工作在饱和状态 CE间击穿电压X CE间击穿电压S CE间击穿电压R 作业 2.1.2 2.1.3 2.1.6 2.1.7(a、c、e） 2.1.15 基射间接反偏压 基射间短接 基射间接电阻 基射间开路 射极开路 iC vCE iCvCE=PCM ICM V(BR)CEO 安全工作区 过压区 过功率区 过流区 二、特征频率fT 解： (1) b~1V;e~ 0.3V ;c~ 3V (硅管，放大） (2) e~0.3V c~0.7V b~1V (硅管，饱和) (3) e~2V c~5V b~1V (硅管,截止） (锗管,截止） （ NPN管 ，c极电位高于e极，否则反向应用,?很小) 2）PNP管：(1) -0.2V 0V -0.1V (2) -3V -0.2V 0V (3) 1V 1.2V -2V 解： (1) b~ -0.2V e~ 0V c~ -0.1V（锗管 饱和） (2) c~ -3V b~ -0.2V e~0V （锗管 放大） (3) b ~1V e ~1.2V c ~ -2V （锗管 放大） （ PNP管 ，c极电位低于e极，否则反向应用,?很小) 2、晶体管三个电极的电流方向如图2。 已知：I1=-1.2mA, I2=-0.03mA，I3=1.23mA。 确定晶体管类型、标出各电极并近似确定?及?。 解：b、c极的电流方向总是一致的，③ 是e极，管子是PNP型，① ~ c, ② ~ b 图2 +5V 解：be结加正偏，管子导通，故其工作在放大或饱和。 管子工作在饱和状态; VCE= 0.3v VCE不能为负，管子工作在饱和状态 要使管子工作在放大状态，需减小IB即增大RB。 输出特性 例： ?=50， VCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当VBB = -2V，2V，5V时， 晶体管分别工作在哪个区？ 当VBB =-2V时：BE结反偏 IC VCE IB VCC RB VBB C B E RC VBE IB=0 ， IC=0 最大饱和电流ICmax ： 管子工作在截止区 VBB =2V时： BE结正偏 IC ICmax (=2mA) ， 管子工作在放大区。 IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC VBE VBB =5V时： BE结正偏 管子工作在饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 返回 集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 参数 击穿 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 发射结正偏，根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO