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* 党纪东 王 虎 2010-7-19日 PECVD培训（原理部分） 整理人 费正洪 内 容 概 述 1 2 4 4 4 2 PECVD的减反射效果 PECVD的钝化效果 PECVD的薄膜形成机理 PECVD的工艺参数影响 1 第一部分 PECVD的减反射效果 PECVD的减反射原理： 图示为四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位差180°，所以前者在一定程度上抵消了后者。 在正常入射光束中从覆盖了一层厚度为d1的透明层的材料，表面反射的能量所占比例的表达式是： 其中r1，r2分别是外界介质-膜和膜-硅界面上的菲涅尔反射系数，θ为膜层厚度引起的位相角 。 当n1d1=λ0/4 时，反射有最小值： 如果 ，则理论反射率为零。 空气中硅表面的折射率nsi≈3.8，所以减反射膜的最佳折射率是硅折射率的平方根n≈1.95。 硅电池做成组件后，被封装在玻璃（ n≈ 1.5）下面，中间还要考虑一层EVA，所以此时减反射膜的最佳折射率是n≈2.3。 右图的曲线表示，在空气中和玻璃下的硅表面分别覆盖折射率是1.9和2.3的减反射膜，从硅表面反射的入射光的百分比与波长的关系。减反射膜的设计，使得约在波长600nm处产生最小反射。 从覆盖有减反射膜的硅表面反射的可用光的加权平均在10%，裸硅表面则超过30%。 减反射膜常沉积为非结晶的或无定形的薄层，以防止在晶界处的光散射问题。用真空蒸发方法形成的减反射层一般在紫外波长区域要产生吸收。然而利用像使沉积的金属薄层氧化或阳极化这样的工艺所形成的减反射层或用化学法沉积工艺形成的减反射层往往有玻璃结构（小的无定形结构），会减少紫外的吸收。 可见光在光谱中的位置 2 第二部分 PECVD的钝化效果 太阳能级硅单晶和多晶硅材料存在着大量的杂质和缺陷，这些杂质和缺陷在晶体硅中引入深能级，显著降低硅中的少数载流子寿命，从而影响太阳电池的短路电流和电池的转换效率。 少量的氢就能和硅中的缺陷和杂质作用，形成一些复合体，由于这些复合体大多都是电中性，所以硅中的氢可以钝化杂质和缺陷的电活性。它不仅能钝化晶体的表面或界面，还可以和金属杂质结合，去除或改变相应的深能级。此外，氢还能和位错上的悬挂键结合 ，达到去除位错电活性的目的；氢也能和空位作用，形成一种VHn复合体；氢还能钝化由氧化而引入的点缺陷，改善器件性能。 PECVD沉积氮化硅薄膜钝化太阳能电池的作用从原理看实际上是薄膜中富含的氢对衬底硅中的杂质和缺陷的钝化。 氢在硅中的存在形式主要取决于温度，掺杂类型与浓度，氢的浓度，缺陷情况等，在低温时，氢在硅中常以3种状态存在： 1、在缺陷位置上被悬挂束缚，形成多重性的Si-H键，这种状态的氢原子有着最低的势能； 2、在没有缺陷的位置上以稳定氢分子H2的情况存在，在平衡条件下氢分子占据着硅四面体的中心位置，此时它的电学与光学性质都不活泼，低温时也不易移动； 3、氢在硅中最重要的形态是原子氢。氢原子占据所谓的金属位，对未被束缚的氢来说，这是能量最低的方式。在室温时，一般情况下氢是不能以单独的氢原子或氢离子存在的，它总是以复合体的形式存在于硅中。 在烧结过程中，因为高温，硅片镀膜后表面富含的氢原子还会向内扩散，能对硅片更深处进行钝化。所以，镀膜后经过烧结的硅片测试的少子寿命会高于PECVD镀膜后的少子寿命。 3 第三部分 PECVD薄膜形成机理 PECVD按镀膜方式可分为直接法和间接法，也可按设备分为管式和板式，还可以按激发方式、不同的射频功率等细分。 在直接PECVD设备中，SIH4和NH3同时被交变电场所激励而产生等离子体，样品直接置于等离子体中，表面受轰击严重，可由烧结的热处理来弥补。 在间接PECVD设备中，只有NH3被交变电场所激励，而且样品远离等离子体。被激励的等离子体进入反应器和SIH4反应并沉积到硅片的表面。由于这种方法产生的等离子体密度高，所以沉积的速率也往往比直接PECVD大，另外一个显著的优点点是由于等离子体离硅片表面较远，使电池表面损伤大大减少。 岛津的直接式PECVD RothRau的间接式PECVD 直接法分为两种： （1）管式PECVD系统：即使用像扩散管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。这种设备的主要制造商为德国的Centrothem公司、中国的