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性能超群的新款集成温度传感器

性能超群的新款集成温度传感器 性能超群的新款集成温度传感器 MAXIM 北京办事处 栾成强 摘要 本文论述了集成温度传感器的基本原理 对几种集成温度传感器进行了简单 比较 并介绍了一款性能超群的集成温度传感器--MAX1617 关键词 集成温度传感器 带隙基准 串行接口 远端温度测量 随着 PC 机和工业自动化的发展 集成温度传感器得到了广泛的应用 几乎渗透到了 所有的电子系统 例如 手持电话一般用一个或多个温度传感器监视电池组 笔记本电脑 可能会用四个或更多个温度传感器监测 CPU 电池 交流适配器和 PCMCIA 卡的温度 目前 某些应用还在使用老式温度传感器(RTDs 热敏电阻和热电偶) 与传统的温度传感 器相比 集成温度传感器具有很多优越性 例如不需要线性化或冷补偿 提供更好的噪声 特性 可以与数字系统直接连接等 早期的集成温度传感器采用双列直插封装 仅仅能够测试自身的温度 而且输出信号 是相应的比例电压信号 在进行温度监测时 须接电压比较器或 A/D 转换器 新型集成温 度传感器不仅可以测试自身的温度 还能够提供远端温度检测 气流温度检测和其它需要 的功能 集成温度传感器的基本原理 集成温度传感器的温度检测依据是 PN 结正向电压和温度的关系 假设晶体管的集电 极偏置电流 Ic 为常数 其基极与发射极之间的电压 Vbe 与温度近似为线性关系 不同工艺 和结构尺寸的晶体管具有不同的正向电压 Vbe 温度系数约为-2.2mV/ °C 硅型 PN 结正向 电压 Vbe 的表达式为 Vbe=Vgo(1-T/To)+Vbeo(T/To)+(nKT /q) ln(To/T)+(KT/q) ln(Ic/Ico) 式中 T 是绝对温度 Vgo 是绝对温度为 0 K 时硅的带隙电压 Vbeo 是绝对温度为 To 偏置电流为 Ico 时的 Vbe K 是波尔兹曼常数 q 是电荷量 n 是与器件结构尺寸有关 的常数 对于两个不同的偏置电流由上式可得 ∆Vbe=(KT/q) ln(Ic1/Ic2) 这样 两个 PN 结正向电压之间的差与温度呈线性关系 如果两个电流源的精度较高 温度可由∆Vbe 计算得到 而与 PN 结的初始正向电压 物理尺寸 泄漏和其它特性无关 该原理在集成电路内应用非常广泛 例如图 1 所示的 Brokaw 带隙基准 图中两个晶体管是温度监测晶体管对 其偏置电流比为 16:1 精密运放 U1 的反馈 达到平衡后 两个晶体管的正向电压之差 ∆Vbe 加至 R1 的两端 通过 R1 的电流经 R2 到 地 图 中 Q2 发 射 极电 压 VTC 具 有 2.2mV/ C 的正温度系数 而 Q2 的 Vbe 具有 ° 2.2mV/ C 的负温度系数 这样在 Vref 输出 ° 端产生零温度系数基准电压 U2 在 Temp Out 端提供精确的 10mV/ C 输出 硅型 PN 结集 ° 成温度传感器工作的温度范围限制在 200 °C 以

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